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提高处理器的制造工艺具有重大的意义，因为更先进的制造工艺会在CPU内部集成更多的晶体管，使处理器实现更多的功能和更高的性能；
更先进的制造工艺会使处理器的核心面积进一步减小，也就是说在相同面积的晶圆上可以制造出更多的CPU产品，直接降低了CPU的产品成本，从而最终会降低CPU的销售价格使广大消费者得利；
更先进的制造工艺还会减少处理器的功耗，从而减少其发热量，解决处理器性能提升的障碍,处理器自身的发展历史也充分的说明了这一点 。
先进的制造工艺使CPU的性能和功能一直增强，而价格则一直下滑，也使得电脑从以前大多数人可望而不可及的奢侈品变成了现在所有人的日常消费品和生活必需品 。
参考资料：百度百科 - 制程工艺
芯片7nm.，10nm这是什么意思1、简单来说的XX nm指的是CPU的上形成的互补氧化物金属半导体场效应晶体管栅极的宽度，也被称为栅长 。
2、详细解释如下，电流从Source(源极)流入Drain(漏级)，Gate(栅极)相当于闸门，主要负责控制两端源极和漏级的通断 。电流会损耗，而栅极的宽度则决定了电流通过时的损耗，表现出来就是手机常见的发热和功耗，宽度越窄，功耗越低 。而栅极的最小宽度(栅长)，就是XX nm工艺中的数值 。
【7nm和5nm是什么意思 5nm的芯片是什么意思】3、芯片市场上，一款芯片制程工艺的具体数值是手机性能关键的指标 。制程工艺的每一次提升，带来的都是性能的增强和功耗的降低，而每一款旗舰手机的发布，常常与芯片性能的突破离不开关系 。
骁龙835用上了更先进的10nm制程，在集成了超过30亿个晶体管的情况下，体积比骁龙820还要小了35%，整体功耗降低了40%，性能却大涨27% 。
4、得益于摩尔定律的预测，走到今天，比拇指还小的芯片里集成了上亿个晶体管 。苹果A10 Fusion芯片上，用的是台积电16nm的制造工艺，集成了大约33亿个晶体管 。
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10nm芯片制程难度
对于芯片制造商而言，主要就要不断升级技术，力求栅极宽度越窄越好 。不过当宽度逼近20nm时，栅极对电流控制能力急剧下降，会出现“电流泄露”问题 。为了在CPU上集成更多的晶体管，二氧化硅绝缘层会变得更薄，容易导致电流泄漏 。
一方面，电流泄露将直接增加芯片的功耗，为晶体管带来额外的发热量;另一方面，电流泄露导致电路错误，信号模糊 。为了解决信号模糊问题，芯片又不得不提高核心电压，功耗增加，陷入死循环 。
因而，漏电率如果不能降低，CPU整体性能和功耗控制将十分不理想 。这段时间台积电产能跟不上很大原因就是用上更高制程时遭遇了漏电问题 。
还有一个难题，同样是目前10nm工艺芯片在量产遇到的 。
当晶体管的尺寸缩小到一定程度(业内认为小于10nm)时会产生量子效应，这时晶体管的特性将很难控制，芯片的生产难度就会成倍增长 。骁龙835出货时间推迟，X30遥遥无期主要原因可能是要攻克良品率的难关 。
参考资料搜狗百科-FinFET
nm工艺是什么意思呢？nm指的是处理器的生产精度单位 。生产CPU过程中，要进行加工各种电路和电子元件，制造导线连接各个元器件 。精度越高，生产工艺越先进 。制造工艺的微米是指IC内电路与电路之间的距离 。制造工艺的趋势是向密集度愈高的方向发展，。密度愈高的IC电路设计，意味着在同样大小面积的IC中，可以拥有密度更高、功能更复杂的电路设计 。微电子技术的发展与进步，主要是靠工艺技术的不断改进，使得器件的特征尺寸不断缩小，从而集成度不断提高，功耗降低，器件性能得到提高 。芯片制造工艺在1995年以后，从0.5微米、0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.15微米、0.13微米、90纳米一直发展到目前最新的65纳米，而45纳米和30纳米的制造工艺将是下一代CPU的发展目标 。
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