这种薄薄的固溶体绝缘层的电阻率很高（可达1012～1013Ω·cm），尽管陶瓷的晶粒内部仍为半导体，但是整个陶瓷体表现为显介电常数高达2×104到8×104的绝缘体介质 。用这种瓷制备的电容器称为晶界层陶瓷电容器（boundarglayerceramiccapacitor），简称BL电容器 。高压陶瓷电容器（一）概述随着电子工业的高速发展，迫切要求开发击穿电压高、损耗小、体积小、可靠性高的高压陶瓷电容器 。
近20多年来，国内外研制成功的高压陶瓷电容器已经广泛应用于电力系统、激光电源、磁带录像机、彩电、电子显微镜、复印机、办公自动化设备、宇航、导弹、航海等方面 。高压陶瓷电容器的瓷料主要有钛酸钡基和钛酸锶基两大类 。钛酸钡基陶瓷材料具有介电系数高、交流耐压特性较好的优点，但也有电容变化率随介质温度升高、绝缘电阻下降等缺点 。
钛酸锶晶体的居里温度为-250℃，在常温下为立方晶系钙钛矿结构，是顺电体，不存在自发极化现象，在高电压下钛酸锶基陶瓷材料的介电系数变化小，tgδ及电容变化率小，这些优点使其作为高压电容器介质是十分有利的 。（二）制造工艺要点（1）原料要精选影响高压陶瓷电容器质量的因素，除瓷料组成外，优化工艺制造、严格工艺条件是非常重要的 。
因此，对原料既要考虑成本又要注意纯度，选择工业纯原料时，必须注意原料的适用性 。（2）熔块的制备熔块的制备质量对瓷料的球磨细度和烧成有很大的影响，如熔块合成温度偏低，则合成不充分 。对后续工艺不利 。如合成料中残存Ca2 ，会阻碍轧膜工艺的进行：如合成温度偏高，使熔块过硬，会影响球磨效率：研磨介质的杂质引入，会降低粉料活性，导致瓷件烧成温度提高 。
（3）成型工艺成型时要防止厚度方向压力不均，坯体闭口气孔过多，若有较大气孔或层裂产生，会影响瓷体的抗电强度 。（4）烧成工艺应严格控制烧成制度，采取性能优良的控温设备及导热性良好的窑具 。（5）包封包封料的选择、包封工艺的控制以及瓷件表面的清洁处理等对电容器的特性影响很大 。冈此，必须选择抗潮性好，与瓷体表面密切结合的、抗电强度高的包封料 。
目前，大多选择环氧树脂，少数产品也有选用酚醛脂进行包封的 。还有采取先绝缘漆涂覆，再用酚醛树脂包封方法的，这对降低成本有一定意义 。大规模生产线上多采用粉末包封技术 。为提高陶瓷电容器的击穿电压，在电极与介质表面交界边缘四周涂覆一层玻璃釉，可有效地提高电视机等高压电路中使用的陶瓷电容器的耐压和高温负荷性能，如涂有一种硼硅酸铅玻璃釉，可使该电容器在直流电场下的；蕾穿电压提高1.4倍；在交流电场下的击穿电压提高1.3倍 。
多层陶瓷电容器多层陶瓷电容器（MultilayerCeramicCapacitor，MLCC）是片式元件中应用最广泛的一类，它是将内电极材料与陶瓷坯体以多层交替并联叠合，并共烧成一个整体，又称片式独石电容器，具有小尺寸、高比容、高精度的特点，可贴装于印制电路板（PCB）、混合集成电路（HIC）基片，有效地缩小电子信息终端产品（尤其是便携式产品）的体积和重量，提高产品可靠性 。
【先学些基础知识,陶瓷电容】顺应了IT产业小型化、轻量化、高性能、多功能的发展方向，国家2010年远景目标纲要中明确提出将表面贴装元器件等新型元器件作为电子工业的发展重点 。它不仅封装简单、密封性好，而且能有效地隔离异性电极 。MLCC在电子线路中可以起到存储电荷、阻断直流、滤波、祸合、区分不同频率及使电路调谐等作用 。在高频开关电源、计算机网络电源和移动通信设备中可部分取代有机薄膜电容器和电解电容器，并大大提高高频开关电源的滤波性能和抗干扰性能 。
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