独家丨高通并购恩智浦进入倒计时,恩智浦官网( 五 )


1997年的时候 , 美国的多家企业就发现了EUV技术商业价值 , 就联合进行了开发 , 也已明确了目标 , 这是全世界都不是什么秘密 , 中国没有进行相应的产业调整和重视 。研发5nm的EUV光刻机所需的资源5nm的光刻机 , 必然要用到EUV技术 , 美国研发的最早 , 我们看一下世界范围内关于EUV技术研究和投入的情况:1、美国美国对EUV技术的研发时间最长 , 总共投入了50多个高校和科技企业进入到这个领域 , 最终在EUV光刻机领域 , 美国的占领先地位 , 收益也是最大的 。
2、欧洲对于EUV光刻机看的最重 , 联合了35个国家 , 共110多个高校和企业加入到研究的行列中 。3、日本和韩国投入相对较小 , 但也有一定的成果就是说 , EUV(紫外光源)的研究是多个国家参与的 , 包括了美国、欧洲多国还有日本、韩国 , 美国出力最多 , 所以不买给中国 。结论:几十个国家 , 上百所研究单位 , 花费了20多年的时间 , 才研发出今天的EUV光刻机 , 实现了5nm级别制程的芯片 。
到底研究了啥要生产EUV光刻机 , 最关键和核心的研究课题有两个:镜头和激光光源 。1、镜头现在世界上高端光刻机使用的是德国的卡尔蔡司光学镜头 , 世界上没有哪家公司能够复制卡尔蔡司的技术 。从长远观点看 , 中国也应发展自己的高端镜头产业 , 但中国与德国的关系还算可以 ,  不妨先拿来用 , 一边用一边研究 , 这样可以减少研发时间 。
2、激光光源这个核心技术是必须研究的 , 因为美国把持着《瓦森纳协定》 , 中国处在被禁运国家之列 。就是说只要美国干预 , 中国将无法获得EUV光刻机 。因为这个EUV技术 , 美国和欧洲几十个国家(包括日本和韩国)研究了20多年 , 中国需要用多久呢?心里应该有一个底了吧 。综上所述 , 中国要研发EUV技术需要投入相当大的资源 , 当然中国是一个工业部门齐全的大国 , 集中力量办大事是中国制度的优点 , 但是 , 研发需要遵重科学规律 , 要有一个过程 , 像欧美日韩都需要近20年时间 , 那们打个折扣 , 总需要10年吧 。
电源管理ic芯片中做的比较好的品牌有哪些?
做电源管理芯片的品牌很多电源管理芯片技术已经很成熟了 , 国外、国内的品牌都以有做 , 需要根据自己的应用选择合适的方案就可以了 。比如锂电池充电管理芯片 , 有小电流充电的方案也有大电流快充的方案 , 下面给大家分享几个锂电池充电的芯片 。单节锂电池/聚合物锂电池充电-BQ2408这是TI的方案 , 最大充电电流可以达到750mA , 过压输入保护为6.5V , 有充电状态指示 , 比较适用于移动设备的充电 , 通近Rset可以设置充电电流 。
封为VSON10 , 尺寸只有3x3mm 。Rset=Vset x Kset / Iout.Vset=2.5VKset=182当Rset=1.13K时 , 充电电流为400mA单节锂电池/聚合物锂电池充电-MCP73812这是Microchip的方案 , 充电电流可以设计在50~500mA , 尺寸非常小 , 封装是SOT23-5 , 外围元件极少 , 只需要一个电阻 , 两个电容就可以了 , 很适合小型的移动设备充电 。
Irog=1000V/Rprog , 当Rprog=2K时 , 充电电流为500mA 。双向快充移动电源专用多合一芯片--SW6106SW6106是国产的一款充电管理芯片 , 支持多种快充协议 , 很适合用于充电宝上 。充电电流可以去到4A , 效率有96% , 高达18W的输出功率 , 效率高达95% 。支持4.2/4.3/4.35/4.4V 多种电池类型 , 输出支持PD3.0/PD2.0/QC3.0/QC2.0/FCP/PE2.0/PE1.1/SFCP等多种的快充协议 。

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