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在美国的威逼下 ， asml宣布进一步限制对我国duv光刻机零部件出口 ， 然而asml才刚宣布接受美国的建议 ， 我们的国产光刻机突然官宣了 ， 西方媒体争相报道 ， 其中美媒还酸溜溜的说这款DUV光刻机是asml十年前的水平 。 根据公布的数据 ， 这台国产duv的套刻≤8纳米 ， 不过大家不要误认为可以生产出8nm工艺的芯片 ， 还得根据波长进行判断 ， 波长193nm ， 能生产最先进的工艺芯片水平是28nm ， 虽然和当前主流手机芯片工艺有巨大差距 ， 但意义重大 ， 之前国产光刻机还停留在90nm ， 如今做到了28nm ， 是巨大的进步 ， 28nm突破了 ， 14nm也就不远了 。
实际上 ， 无论是台积电英特尔还是asml ， 都会通过多重曝光技术生产出先进芯片 ， 一旦我国突破14nm光刻机 ， 在多重曝光技术下 ， 肯定能生产出7nm芯片 。 另外有一点非常重要 ， 除了智能手机和部分高端电脑芯片和ai芯片外 ， 各行各业都在使用28nm以下芯片 ， 还没有达到普遍使用7nm芯片的情况 。
【asml宣布进一步限制duv，美媒：中国成功研发duv】最后想说的是国产光刻机的突破 ， 又再次打脸那些说我国一己之力造不出来的人的脸 。 对于西方媒体的评价我们早都习惯了 ， 我们没有的时候 ， 他们说造不出来 ， 我们有的时候 ， 他们一边说落后 ， 一边低价出售同类型设备 ， 说明西方国家开始慌了 。
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