韩媒：中国DRAM内存芯片，仅落后三星一代了_芯片|三星|海力士|it芯片

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存储芯片多种多样，但其中以DRAM内存、NAND这两种为主，占到所有存储芯片的98%以上。
【韩媒：中国DRAM内存芯片，仅落后三星一代了】其中DRAM是指手机/电脑等电子产品的运行内存，而NAND则是存储数据使用的，比如电脑中的SSD ，手机中的ROM等。

如果从市场规模来看， DRAM的份额占比高达约55.9% 。而NAND Flash ，市场占比约为44.0% 。
当然，不管是DRAM内存，还是NAND闪存，主要是被三家厂商垄断的，比如DRAM方面， 2023年三星、SK海力士、美光三家份额分别为41.4%、31.7%和22.9% ，合计超过95% 。
而NAND方面，相对厂商分散一点， 2023年三星、SK海力士、铠侠，市场份额分别为32.7%、18.4%、18.0% 。西部数据和美光市场份额分别为14.9%、10.8% 。

很明显，韩国是最牛的，三星、SK海力士，拿走了73%以上的DRAM份额， 51%以上的NAND份额。
而中国嘛，不管是DRAM内存，还是NAND闪存，均表现一般般，毕竟中国存储芯片到2017年才起步，晚了三星、美光等几十年。

不过，近日，有韩国媒体表示，中国目前在DRAM上进步神速，已经只落后三星、美光、SK海力士这三大巨头一代了。
按照DRAM芯片发展的路线，其代数是按照1-2-3-4-4X-5-5X来发展的，最新的规格是LPDDR5X ，但算起来，却是第7代了。
目前三星、美光、SK海力士的水平，均是第七代，也就是LPDDR5X的水平。其中SK海力士还在5X的基础上，开发了5T产品，速度更快，性能更强，但还是处于第7代。

而韩国媒体认为，目前中国的CXMT已经开发出LPDDR5的产品，也就是第6代，落后三星、SK海力士这样的巨头，其实只有一代的水平了。
不仅如此，在当前最热闹的HBM芯片上，虽然三星、SK海力士等开发出了第四代产品HBM3产品，但CXMT也在中国建立了大规模生产HBM的生产设备，并已开始量产，比最初预期的速度快了两年以上。
韩媒认为，接下来，随着中国DRAM内存芯片的大发展，未来三星、SK海力士、美光的市场，将受到很大的冲击，韩媒甚至认为，到2025年， CXMT的市场就将达到全球的15%左右，成为第四大巨头，甚至能和美光媲美了。

韩媒：中国DRAM内存芯片，仅落后三星一代了

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