重启2还会解锁新地图——天麟楼和雷城 。在重启2中，为了找到三叔，吴邪胖子前往天麟楼和雷城，营救被困于天麟楼的张起灵和二叔等人，随后众人一起开启了新一轮的冒险 。三叔的踪迹、雷城的秘密以及大家最关心的吴邪的肺病也将在重启2里得到解答 。反派的人物动机线也在重启2中也将会更加的丰富饱满 。
在第一季的最后，吴邪升级到十一仓的14级，也能接触很多关于十一仓的机密问题 。但到了14级并不代表故事的结束，反而是新的开始 。吴邪一直追寻的三叔的下落，三叔当年做了什么，还有十一仓背后的故事等等，也将在第二季找到答案，只是，按照南派三叔一贯的风格，一次性得到答案那是不可能的 。
第二季还会有新人物的加入，那就是杨迪饰演的红顶水仙 。人物介绍是：灯红酒绿，意外迭起，人生轨迹就此错乱，选择面前两难全 。红顶水仙应该是个亦邪亦正的角色，在第二季的预告中他看起来像反派，但相信在之后会给观众带来大反转 。
7，重装机兵2重制版所有LOVE部件,要中文的LOVE的插件4个字母LOVE每个都有3种,也就是L1到L3,O1到O3,V1到V3,E1到E3共12个...每种只要拿到1个就可以了 。地点：
上图红色圆圈内就是，从初使镇子玛多出发，向厄尔尼诺方向前进 在厄尔尼诺想做行，过桥向左下沿河行进
LOVE的插件4个字母LOVE每个都有3种,也就是L1到L3,O1到O3,V1到V3,E1到E3共12个...每种只要拿到1个就OK了..找第一个村子小男孩(小舅子....)给他钱可以随机得到各种回报物,12种芯片全部都可能给,不过我实测是给E3和V3很少.......此外据说死亡十字左边拿12号车外面可以随机探测到.........职员宿舍第二个屋子里有L1芯片（在核熔的地下也可以找到L1芯片）死亡十字下水道，那里面有L2的芯片死亡十字解放后，可以在这里买到L3芯片O1芯片 水之旁道木箱在巴斯扎卡，购入O2芯片O3芯片 恶魔岛木箱 我记得在一个临近传送带的房间，在黑暗水路有路障挡着的地方，下面的一条战车可以走下去的通路，里面有一些宝物，特别是V1芯片V2 天鹅镇道具店德尔塔·利奥 工具店二楼的V3芯片E1 自动售货机B奖品（马多战车大厅右边）E2 人类村 道具店E3芯片 恶魔岛木箱 在有遮阳伞的那一层至于12种芯片的组合.在爱之家那里都可以看到啊.不像前作的量子人偶激光炮神马的要自己试...MM2R直接把各种组合的可能性都列出一个表单来有什么效果,完全不用攻略吧.
8，DDR2是什么啊？沙发~~~~DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取） 。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行 。此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础 。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋 。DDR2与DDR的区别：1、延迟问题：从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍 。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力 。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力 。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz 。这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者 。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽 。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400 。2、封装和发热量：DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制 。DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度 。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因 。而DDR2内存均采用FBGA封装形式 。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障 。DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的 。
