输出侧设有三颗固态电容 ， 其中两颗焊接在平面变压器的PCB上 。
电路板镂空放置平面变压器磁芯 ， 用以降低整体厚度 。
使用游标卡尺测量充电器主板长度约为50mm 。
宽度约为49mm 。
厚度为23.4mm 。
PCB板正面一览 ， 平面变压器磁芯套有塑料壳绝缘 ， 居中是PFC电感 。
PCB板背面一览 ， 充电器初次级分明 ， 两颗光耦横跨初次级 。
通过对充电器正背面电路分析发现 ， 小米120W氮化镓快充充电器内部采用PFC升压后为QR反激开关电源供电 ， 由协议芯片控制 ， 根据负载需求 ， 输出宽范围电压 。
输入端一览 ， 连接导线压线卡焊接固定 。黑色热缩管套住的蓝色元件是压敏电阻 ， 用于输入过压保护 ， 平面变压器PCB板两侧分布着多颗高压电解电容 。
输出端平面变压器小板焊接两颗固态电容 ， 节省PCB面积 ， 充分利用空间 。主PCB板上还焊接了一颗固态电容 ， 三颗电容用于输出滤波 。USB-C母座橙色胶芯 ， 右侧两颗Y电容 。
可以看到Y电容 ， 共模电感 ， X电容和输入保险丝 。保险丝套热缩管绝缘保护 。
这一侧主要是平面变压器和一颗蓝色Y电容 。
将主板正面元件全部拆除 ， 可见设有一颗整流桥、一颗氮化镓功率器件以及一颗协议芯片 。
输入端保险丝特写 ， 采用热缩管包裹绝缘 。
压敏电阻 ， 用于充电器输入端过压保护 。在交流输入超过安全电压时 ， 压敏电阻导通 ， 熔断保险丝 ， 确保后级元件安全 。
NTC浪涌抑制电阻 ， 用于减小接入电源的浪涌电流 。
共模电感采用热缩管包裹绝缘 。
另外一级共模电感 ， 采用扁平铜带绕制 。
安规X电容容量0.33μF 。
输入端整流桥丝印LMB10L30 。
正面这颗同型号的整流桥 ， 使用两颗均摊发热 。
薄膜电容 ， CBB21 ， 1μF 450V 。
另外一颗薄膜电容 ， CBB21 ， 0.68μF 450V 。
用于滤波的磁环电感 。
输入端PFC控制器采用矽力杰SY5072B ， 运行在临界模式 ， 采用恒定导通时间运行 ， 内置的升压转换器采用准谐振开关以获得高效率及优化EMI性能 。
主板正中为PFC升压开关管采用的是纳微NV6134 ， 这是一颗集成了驱动和保护电路的氮化镓功率芯片 ， 散热升级 ， 采用更大的散热焊盘优化温升 ， 此前该芯片已被联想YOGA 65W双口快充采用 。
纳微NV6134是纳微第三代氮化镓芯片 ， 拥有更强大的电气保护性能 ， 响应速度相比之前要快三倍 。相比于分立的氮化镓芯片/器件设计（Discrete GaN designs） ， 纳微GaNFast氮化镓芯片具有10倍更高的静电耐压 。
纳微半导体GaNFast第三代技术的芯片 ， 集成度非常高 ， 不仅集成了功率芯片 ， 还包括了保护电路 ， 驱动电路和逻辑电路 ， 相对其他芯片集成度更高 ， 散热温控效果更好 ， 转化效率也非常好 。
充电头网拆解了解到 ， 纳微半导体的氮化镓功率芯片此前已被联想、华硕、努比亚、雷柏、小米、OPPO、RAVPOWER、贝尔金、摩米士、柚比等国内外数十个品牌的氮化镓快充产品所采用 。
PFC升压电感特写 。
ES5JCR快恢复二极管 ， 用于PFC整流 。
LFB3MF二极管 ， 用于初级电解电容充电 。
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