针对这一点 , IGBT中由于追加了p+层 , 所以从漏极方面来看 , 它与n基极层之间构成了pn二极管 。因为这个二极管的作用 , n基极得到电导率调制 , 从而使通态电阻减小到几乎可以忽略的值 。因此 , IGBT与MOSFET相比 , 能更容易地实现大容量化 。
正如图2所表示的理想的等效电路那样 , IGBT是pnp双极型晶体管和功率MOSFET进行达林顿连接后形成的单片级联型Bi-MOS晶体管 。此外 , IGBT与双极型晶体管的芯片和功率MOSFET的芯片共同组合成的混合级联型Bi-MOS晶体管的区别就在于功率MOSFET部的通态电阻 。在IGBT中功率MOSFET部的通态电阻变得其微小 , 再考虑到芯片间需要布线这一点 , IGBT比混合级联型Bi-MOS晶体管优越 。
IGBT的驱动电路有什么特点?
驱动电路的作用是将微处理器输出的脉冲进行功率放大 , 以驱动IGBT , 保证IGBT的可靠工作 。驱动电路有着至关重要的作用 , IGBT驱动电路有以下基本特点:
(1)提供适当的正向和反向输出电压 , 使IGBT可靠的开通和关断 。
(2)提供足够大的瞬时电流或瞬态功率 , 使IGBT能迅速建立栅控电场而导通 。
(3)具有尽可能小的输入输出延迟时间 , 以提高工作效率 。
(4)具有足够高的输入输出电气隔离性能 , 使信号电路与栅极驱动电路绝缘 。
(5)具有灵敏的过流保护能力 。
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