总体而言，不同代际升级趋势为升高耐压程度 ， 降低开关损耗，在结构上大体表现在以下两方面：
栅极结构方面：
早期 IGBT 是平面栅结构，随着 Trench（干法刻槽）工艺的成熟，将平面型栅极结构变成垂直于芯片表面的沟槽型结构，IGBT 的本质是通过控制栅极与发射级之间的电压大小 ， 从而实现对 IGBT 导通和截止状态的控制 。
当栅极-发射级电压≤0 时，IGBT 呈关断状态，当集电极-发射级电压≥0且栅极-发射级电压＞阈值电压 ， IGBT 呈导通状态 。
沟槽型结构单元面积小、电流密度大、通态损耗降低约 30%，击穿电压更高 。
纵向结构方面：
早期是穿通型（PT）和非穿通型（NPT）结构 。PT IGBT 是最早商业化生产的 IGBT，随着使用应用中电压等级越来越高，对 NPT 结构的基区宽带要求越来越宽，又有了在高压领域向穿通结构的回归 。
2、?国内空间广阔 ， 海外巨头占据垄断地位 ?2.1.国内IGBT模块百亿级市场空间，占全球40%以上
根据英飞凌年报，2019年英飞凌模块产品全球市占率35.6% ， 斯达半导2.5%，英飞凌IGBT器件产品市占率32.5%，士兰微2.2% 。
2019年斯达半导IGBT模块营业收入7.6亿元，士兰微IGBT器件营业收入约1亿元 ， 由此可推算2019年全球IGBT模块市场规模约300亿元，IGBT器件市场规模约45亿元 。
根据 ASMC 研究显示，全球 IGBT 市场规模预计在2022年达到60亿美元 ， 全球 IGBT 市场规模在未来几年时间仍将继续保持稳定增长的势头 。
根据中国产业信息网和头豹研究院数据整理，2014年，我国IGBT行业市场规模为79.8亿元，预测到2020年，我国 IGBT行业将实现197.7亿元的收入 ， 年复合增长率达16.32% 。
预计到2023年中国 IGBT 行业整体市场规模有望达到290.8亿元 ， 市场前景广阔 。
根据 Yole 预测，2024年我国行业IGBT产量预期达到0.78亿只，需求量达到1.96亿只，仍存在巨大供需缺口 。
IGBT市场长期被英飞凌、富士电机等海外公司垄断 ， 英飞凌占据绝对领先的地位 。
2019年英飞凌模块产品全球市占率35.6%，器件产品全球市占率32.5%，IGBT模块领域国内斯达半导是唯一进入前十的企业，市占率2.5% ， IGBT器件领域国内士兰微是唯一进入前十的企业 ， 市占率2.2% 。
国内产品供需不平衡，“国产替代”将是未来IGBT行业发展的主要方向 。
2.2. 工控领域及电源行业支撑 IGBT 稳定发展
IGBT 模块是变频器、逆变焊机、UPS电源等传统工业控制及电源行业的核心元器件，根据集邦咨询数据 ， 2019年全球工控市场 IGBT 市场规模约为140亿元，中国工控市场IGBT市场规模约为30亿元 。
由于工控市场下游需求分散，工控 IGBT市场需求较为稳定，假设未来每年保持3%的规模增速，预计到2025年全球工控 IGBT 市场规模将达到167亿元 。
变频器行业：
据前瞻产业研究院测算 ， 我国变频器行业的市场规模整体呈上升态势，从2012年至2019 年，中国变频器行业规模除2015年有小幅度下降以外，其余年份均处于稳步增长状态 。
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