蚀刻机和光刻机区别

蚀刻相对于光刻来说要容易一些 。光刻机把图案印上去,然后蚀刻机根据印上去的图案蚀刻掉有图案(或者没有图案)的部分,留下剩余的部分 。
“光刻”是指在涂满光刻胶的晶圆(或者叫硅片)上盖上事先做好的光刻板,然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射 。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质 , 易于腐蚀 。
【蚀刻机和光刻机区别】“蚀刻”是光刻后,用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉(正胶),晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形 。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀,形成半导体器件及其电路 。蚀刻分为两种,一种是干刻,一种是湿刻(目前主流),顾名思义,湿刻就是过程中有水加入,将上面经过光刻的晶圆与特定的化学溶液反应,去掉不需要的部分,剩下的便是电路结构了,干刻目前还没有实现商业量产,其原理是通过等离子体代替化学溶液,去除不需要的硅圆部分 。

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