由日本京都大学、筑波大学、东海大学和产业技术综合研究所组成的研发小组发现 ， 用高强度太赫兹脉冲照射相变材料GeSbTe化合物（GST）后 ， 该材料会以纳米尺寸从非晶状态生长出晶体 。 GST可用于目前使用的记录型DVD和新一代非易失性固体存储器 ， 是一种备受期待的相变存储器记录材料 。
该研究利用世界最高强度的太赫兹脉冲生成技术 ， 成功向GST照射了高电场皮秒脉冲 ， 晶体部分尖端的焦耳热促进晶体逐渐生长 ， 由此可以引起各向异性晶体沿着电场方向生长 。
该成果明确了在存储器的开关动作中瞬间发生的高电场效应 ， 另外还显示出引起纳米尺寸极小结构变化的可能性 ， 今后有助于实现相变存储器的小型化和高效率化 。
【太赫兹脉冲可使相变材料长出晶体】（本栏目稿件来源：日本科学技术振兴机构 整编：驻日本采访人员陈超）
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