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按照光刻机的类型 ， 生产65nm芯片的光刻机叫做干式DUV光刻机 ， 也称之为ArF光刻机 。
生产45-7nm的光刻机 ， 叫做浸润式DUV光刻机 ， 也称之为ArFi光刻机 。
这两者光源一样 ， 都是采用193nm波长光源 ， 工作台一样 ， 物镜系统也一样 ， 唯一不同之处是干式DUV光刻机 ， 以空气为介质 。 而浸润式光刻机 ， 在晶圆前加了一层水为介质 ， 193nm波长的光线 ， 进入水后折射 ， 等效于134nm波长光线 。
因为光线的波长小 ， 分辨率就高了 ， 所以浸润式光刻机 ， 可以用于最小7nm工艺的芯片 ， 这是干式DUV办不到的 。
目前国内的技术 ， 还处于干式DUV光刻机的水平 ， 具体表现如何 ， 应该不用我介绍了 ， 前段时间 ， 网上不是大谈特谈这款氟化氩光刻机么 ， 分辨率小于等于65nm ， 套刻精度小于等于8nm 。
其实它就是一台干式DUV光刻机 ， 所以能生产多少纳米的芯片 ， 我也不多说了 ， 懂的都懂 。
基于此 ， 很多人表示 ， 接下来我们的目标是研发浸润式DUV光刻机出来 ， 毕竟路是一步一步走的 ， 但我却认为 ， 我们接下来的真正目标 ， 不是研发浸润式DUV光刻机 ， 而是跨过它 ， 直接研发EUV光刻机 。
估计很多人会骂我了 ， 那就是走路都走不稳 ， 就想开始跑了 。 但实际上 ， 还真不是这样的 ， 这个理论不用套在光刻机上 。
EUV光刻机和浸润式DUV光刻机 ， 并没有先后逻辑关系 ， 也不是替进式的 ， 一代一代发展这么来说的 。
DUV光刻机 ， 和EUV光刻机 ， 真正最大的不同之处是 ， 一个是采用EUV光源 ， 也就是波长是13.5nm的光线 ， 一个是采用193nm波长的光线 。
浸润式是在晶圆前加了一层水来折射193nm波长的光线 ， EUV是直接采用13.5nm的光线 。
其它的工作台 ， 物镜系统等 ， 其实原理等 ， 都是差不太多的 ， 只是分辨率更高了 ， 精度也更高了 ， 仅此而已 。
并不是说没研发出浸润式DUV ， 就研发不出EUV的 ， 完全可以直接跨进EUV光刻机的 ， 只要解决掉了EUV光线的产生、收集即可 ， 这一块是重点、难点 。
【跳过浸润式DUV，我们的目标，是直接研发EUV光刻机】因为ASML将这一块的上下游供应链都整合了 ， 中国想要研发出EUV ， 必须找到替代ASML供应链的方案 ， 这个非常难 。
另外 ， 目前国内拥有的浸润式DUV光刻机 ， 其实是非常多的了 ， 从2021年开始 ， 根据ASML的财报数据 ， 我们买到的浸润式DUV光刻机 ， 就超过了150台 。
150台有多大的产能 ， 其实是相当于几十个中芯国际的总产能了 ， 所以浸润式DUV光刻机是足够用的 ， 且目前ASML也没有完全卡死 ， 我们能够买的 。
在这样的情况之下 ， 研发EUV光刻机才是关键 ， 研发不研发浸润式DUV ， 相对而言其实并不那么重要了 ， 你觉得呢？
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