9、频率倍增用二极管对二极管的频率倍增作用而言，有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃（即急变）二极管的频率倍增 。频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器，可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同，但电抗器的构造却能承受大功率 。阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管，从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr短，因此，其特长是急速地变成关闭的转移时间显着地短 。
如果对阶跃二极管施加正弦波，那么，因tt（转移时间）短，所以输出波形急骤地被夹断，故能产生很多高频谐波 。10、稳压二极管这种管子是利用二极管的反向击穿特性制成的，在电路中其两端的电压保持基本不变，起到稳定电压的作用 。是代替稳压电子二极管的产品 。被制作成为硅的扩散型或合金型 。是反向击穿特性曲线急骤变化的二极管 。
作为控制电压和标准电压使用而制作的 。二极管工作时的端电压（又称齐纳电压）从3V左右到150V，按每隔10%，能划分成许多等级 。在功率方面，也有从200mW至100W以上的产品 。工作在反向击穿状态，硅材料制作，动态电阻RZ很小，一般为2CW、2CW56等；将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2DW型 。
稳压二极管的温度系数α：α表示温度每变化1℃稳压值的变化量 。稳定电压小于4V的管子具有负温度系数（属于齐纳击穿），即温度升高时稳定电压值下降（温度使价电子上升较高能量）；稳定电压大于7V的管子具有正温度系数（属于雪崩式击穿），即温度升高时稳定电压值上升（温度使原子振幅加大，阻碍载流子运动）；而稳定电压在4~7V之间的管子，温度系数非常小，近似为零（齐纳击穿和雪崩击穿均有） 。
11、PIN型二极管（PIN Diode）这是在P区和N区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体二极管 。PIN中的I是"本征"意义的英文略语 。当其工作频率超过100MHz时，由于少数载流子的存贮效应和"本征"层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变 。
在零偏置或直流反向偏置时，"本征"区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入"本征"区，而使"本征"区呈现出低阻抗状态 。因此，可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用 。它常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中 。12、雪崩二极管(Avalanche Diode)它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管 。
产生高频振荡的工作原理是栾的：利用雪崩击穿对晶体注入载流子，因载流子渡越晶片需要一定的时间，所以其电流滞后于电压，出现延迟时间，若适当地控制渡越时间，那么，在电流和电压关系上就会出现负阻效应，从而产生高频振荡 。它常被应用于微波领域的振荡电路中 。13、江崎二极管（Tunnel Diode）它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管 。
其基底材料是砷化镓和锗 。其P型区的N型区是高掺杂的（即高浓度杂质的） 。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生 。发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01微米以下）；简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性 。江崎二极管为双端子有源器件 。
其主要参数有峰谷电流比IP/PV），其中，下标"P"代表"峰"；而下标"V"代表"谷" 。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开关电路中 。14、快速关断（阶跃恢复）二极管(Step Recovary Diode)它也是一种具有PN结的二极管 。
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