三代内存和四代内存区别，三代内存条与四代区别 _四代

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2，三代内存条与四代区别三代内存条和四代内存条的区别主要有三点，分别是内存条的容量变化、内存条的外观变化和内存条的内存功耗及频率变化。三代内存条单根的最小容量是1G，最大单根容量是8G，四代内存条单根最小容量是4G，最大单根容量是128G 。外观方面也是不一样的，三代内存条金手指缺口位置在内存条正面的左边，四代内存条缺口的位置偏中间位置。

3，三代内存条与四代内存条究竟有何区别DDR4相比DDR3最大的区别有：1）处理器：每次内存升级换代时，必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计，DDR4内存频率原生支持2133MHz，这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz，起始频率有不小的提升。Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核，另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高，并且不会同时支持DDR3和DDR4内存，所以增加了DDR4普及的门槛。2）频率方面，DDR3内存起始频率为800，最高频率达到了2133 。DDR4内存起始频率就达到了2133，量产产品最高频率达到了3000，从内存频率来看，DDR4相比DDR3提升很大。3）　DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。4）DDR4内存容量提升明显，可达128GB：上一代DDR3内存，最大单挑容量为64GB，实际能买到的基本是16GB/32GB，而新一代DDR4内存，单条容量最大可以达到128GB，媲美SSD了。5）DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB，而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB 。而电压方面，DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造，电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。【三代内存和四代内存区别，三代内存条与四代区别】