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【芯旺微电子,行业缺芯怎么破】上海微电子能在2025年前攻克7nm光刻机吗？

这是一个误区，其实生产28纳米芯片和7纳米芯片的光刻机可以是同一种光刻机，只是使用光刻机的方式有变化而已。台积电昔日就是用相同的浸入式ArF光源的DUV光刻机，生产出来了从28纳米到7纳米的所有芯片。只不过现在有了EUV光源的光刻机，在生产7纳米芯片时效率更高，于是台积电就在许多工序改用了EUV光刻机，但并不是说浸入式ArF光源的DUV光刻机就不被使用到7纳米芯片工艺的工序中了。
如此一来，这个问题就简化成为，只要上海微电子攻克了生产28纳米的光刻机，理论上来说，通过工艺改进，不计成本的话，7纳米芯片也是可以被生产出来的。这理论上也算是攻克了7纳米的工艺吧。所以问题就变成了2025年前攻克28纳米光刻机的可能性了。真正7纳米芯片的工艺问题是代工厂的责任，探索台积电已经走过的技术路线，用浸入式ArF光源的DUV光刻机的多次曝光工艺来生产7纳米芯片。
这就不是我们今天讨论的关键了。很显然，2021年就不用指望了。因为上海微电子的28纳米光刻机没有达到合格标准，需要2022年继续努力了。但即便2022年这台光刻机达到了标准，获得了通过，也还有一个严峻的问题摆在了上海微电子面前。那就是浸入式ArF光源的问题。现在这台样机的光源，用的是日本进口的浸入式ArF光源。
那么，在日后量产的时候，这个光源能不能稳定供货就是一个重大问题了。国内光源提供商“科益虹源”，已经拿出来了40w 4kHz ArF光源的样机，但主流的ArF浸没式光刻机需要60w 6kHz等级的光源，所以也就是说国内的光源目前还没办法代替进口光源了。至此，这台上海微电子的样机能不能变成批量生产的产品就非常不确定了，因为关键子系统还处于攻关当中，无法确认研发出子系统的时间节点。
也就是说，现在上海微电子的这台28纳米光刻机，就是走的歼20路子。时间不等人，歼20就不等涡扇15发动机了，先用进口的俄罗斯AL-31F发动机顶上用着。现在上海微电子可不就是先用日本光源顶上用着嘛。至于中国自己的光源，就等着啥时候能研发出来吧。以目前的国际大环境，歼20如果还想用俄罗斯发动机，就还是能找到货源的。
但中国如果想获得一个稳定的浸入式ArF光源的难度有多大？我想大家都明白。所以，这个浸入式ArF光源的紧迫性，甚至远远超过对涡扇15的需求，就肯定没错了。也就是说，哪怕2022年，上海微电子攻克了这个28纳米光刻机技术，但横在量产前面的光源问题，能不能在2025年前解决呢？我想没人知道吧。现在科益虹源的官网网站都打不开了，所以没人知道他们的进展如何了，现在网上真是一个字儿都没有。
中芯国际78亿买来低端光刻机，高端光刻机国产化还需多久？

中芯国际购买的是ASML第四代产品，也就是深紫外光刻机，技术上与ASML极紫外光刻机有云泥之别。ASML光刻机目前已发展到第五代，最小工艺是正在向5nm甚至3nm迈进。从图中可知由上海微电子研制的国产光刻机目前水平实际上已经达到了ASML第四代水平。预计今年底能够上市销售。也正因为这个原因ASML公司已经于去年降价促销其DUV光刻机，目的是要把国产光刻机封杀于摇篮中。
ASML最顶级光刻机采用了极紫外光刻机EUV技术，这是1997年Intel和美国能源部共同成立发起的EUV-LLC联盟，汇集了美国三大国家实验室并联合了摩托罗拉和AMD等企业数百位顶尖科学家共同研制此技术。当时尼康和ASML也申请加入被美国政府拒绝，最后ASML表达了忠心和让步后才获准加入。但是日本尼康被排除了，因为那时美国正在打压日本的半导体产业，如今中国取代日本遭到美国打压。