三极管与场效应管,场效应管和mos管区别 _云知道

场效应管与MOS管是一回事吗？
【三极管与场效应管,场效应管和mos管区别】

MOS管是场效应管的一种，场效应管一般分为MOSFET和JFET 。所谓MOSFET是指金属氧化物半导体场效应晶体管；而JFET是结型场效应晶体管。目前主要使用MOSFET 。场效应管是利用输入的电压来控制输出电流的一种半导体器件，属于压控型器件。下面简单介绍一下MOSFET和JFET 。场效应管之一：MOSFETMOSFET有三个电极，分别为漏极D、源极S和栅极G，按照沟道的材料可以分为NMOS和PMOS，按照导电方式可以分为耗尽型和增强型。
以NMOS为例，NMOS以P型半导体硅作为衬底，在表面上做了两个N型区域，再铺上一层绝缘层。两个N型区域引出漏极和源极，在绝缘层上引出栅极，其结构如下图所示。MOSFET可以分为NMOS和PMOS，其电路符号如下图所示。图中的二极管叫做体二极管。场效应管之二：JFETJFET是结型场效应管，这里的结是指PN结，结型场效应管按照结构分类可以分为N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管，在N型半导体的两侧加入两个P型半导体，由此形成了两个PN结，把两个P型半导体连接后形成一个电极叫做栅极G 。
场效应管和晶闸管的区别是什么？

场效应管和晶闸管都是电子电路中常用的开关型器件，但是两者存在本质的区别。场效应管包括结型场效应管JFET和金属-氧化物半导体场效应管MOSFET 。而晶闸管一般是指可控硅，可控硅按照导通方向可以分为单向可控硅SCR和双向可控硅Triac 。1 什么是场效应管这里主要介绍MOSFET 。MOSFET有三个电极，分别为栅极G、源极S和漏极D，其中栅极G为控制端，源极S和漏极D为输出端。
从半导体的构成方面可以分为NMOS和PMOS 。这两种MOS的电路符号如下图所示：PMOS的衬底为N型半导体，在VGS