中国芯片成熟工艺和先进工艺齐发展，芯片出口超7000亿
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数年前 ， 中国芯片行业经过深入思考 ， 决定先发展成熟芯片 ， 大举建设芯片工厂 ， 短短数年时间中国的芯片产能占全球芯片的比例就从个位数提升至三成 ， 成为全球最大的芯片生产国 ， 如今开始取得硕果 ， 在先进工艺方面也取得了突破 。
中国发展成熟工艺芯片 ， 在于特定国家的阻挠 ， 不允许日本、荷兰等国出口先进设备给中国 ， 基于这样的现实 ， 中国芯片行业只好先发展成熟芯片 ， 通过发展成熟芯片来积累技术、发展产业链 ， 最终依靠国内产业链发展先进芯片 。
如今中国建成的芯片工厂已达到数十个 ， 中国每天生产的芯片数量先是突破10亿颗 ， 今年再突破了12亿颗 ， 巨大的芯片产能快速提升了中国制造的芯片自给率 ， 据了解中国的芯片自给率已达到三成左右 。
对中国庞大的制造业来说 ， 其实成熟芯片占比很高 ， 普遍认为成熟芯片占中国芯片需求的比例超过七成 ， 国内庞大的市场已可为国产芯片产业链提供巨大的市场空间 ， 如今的事实也证明了这一点 ， 如今中国已有三家芯片代工厂位居全球前十 ， 中芯国际更从全球第五提升至全球第三 。
随着中国芯片的突破 ， 中国芯片不仅在国内替代进口芯片 ， 中国芯片也开始走向海外市场 ， 今年前8个月中国的芯片出口金额高达7360亿元 ， 芯片出口金额已超过汽车 ， 而2023年中国才首次成为全球最大的汽车出口国 。
在中国发展成熟工艺芯片的过程中 ， 中国迅速发展了自己的人才 ， 业界都清楚中国已量产14纳米 ， 至于更先进的工艺 ， 从某国产手机发布的国产5G芯片可以推测中国芯片的先进工艺已达到何种水平 。
随着国产芯片的发展 ， 中国的芯片产业链也在得到培育 ， 北方华创等多家国产芯片设备企业连年飞速增长 ， 他们有了收入就能投入更多资金研发 ， 提升技术水平 ， 从而推动芯片设备也在推进国产化 。
日前国产存储芯片据称已再次实现突破 ， 量产300层以上的NAND flash存储芯片 ， NAND flash存储芯片采用国产设备 ， 在于存储芯片考虑到耐用性而将工艺停留在10纳米以上 ， 例如19纳米就是存储芯片的主流工艺 ， 凸显出国产芯片设备已在一定程度替代进口设备 。
早前中国已宣布国产光刻机取得突破 ， 套刻精度达到8纳米的国产光刻机开始在国内芯片行业推广 ， 证明中国加速国产光科技的发展 ， 光刻机是中国芯片产业链的最后障碍 ， 只要光刻机进一步突破 ， 国产芯片产业链将无需再依赖进口芯片设备 。
由此可见 ， 中国芯片行业当初决定先发展成熟芯片的方向完全正确 ， 通过发展成熟芯片积累技术 ， 获取收入加强研发投入 ， 提升技术水平 ， 形成一种正向循环 ， 最终推动中国芯片产业链往更高技术水平突破 。
【中国芯片成熟工艺和先进工艺齐发展，芯片出口超7000亿】同时中国芯片取得了更多收入 ， 也就导致海外芯片行业获得的收入下降 ， 降低了芯片技术的升级速度 ， 为中国芯片追赶先进芯片技术提供时间和空间 ， 这对中国芯片更为有利 。
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