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毫不客气的说 ， 目前在所有的芯片制造设备中 ， 光刻机是最重要的设备 ， 没有之一 。 同时也是中国最被卡脖子的设备 ， 没有之一 。
为何这么说 ， 因为目前全球光刻机厂商 ， 仅4家企业能制造 ， 且被ASML垄断 ， 特别是EUV、浸润式DUV这些高端光刻机 ， 完全是ASML说了算 。
当然 ， 光刻机的技术 ， 也是不断演进的 ， 并且是和工艺对应的 。
如下图所示 ， 这是目前光刻机的发展趋势 ， 和相对应的代数 ， 第一代是G线 ， 第二代是I线 ， 再是KrF、ArF、ArFi、EUV这么6代 。
第一代光刻机 ， 对应着不同的芯片制造工艺 ， 比如EUV光刻机 ， 用于7nm芯片以下 ， 浸润式DUV ， 最高能到7nm……
那到问题就来了 ， 国产光刻机 ， 达到了什么水平？
上海微电子的光刻机 ， 在其官网上是有公开的 ， 之前公开的是一台分辨率为90nm的光刻机 ， 属于ArF ， 也就是第四代 ， 采用193nnm波长的光源 ， 干式DUV光刻机 。
而前段时间 ， 国家权威机构 ， 又公布了另外一台国产光刻机 ， 分辨率是65nm ， 套刻精度是8nm ， 这个还是一台ArF光刻机 ， 也是干式DUV光刻机 。
从这台光刻机 ， 我们可以判断出 ， 其实国产光刻机 ， 虽然还是落后ASML10多年 ， 但是离浸润式DUV光刻机 ， 其实只差最后一步了 。
从上面的技术演进图其实也可以看到 ， ArF最高能够支持到65nm工艺 ， 而这台国产光刻机 ， 分辨率就是65nm ， 很明显就是贴近极限值的 。
【国光光刻机，离浸润式DUV，仅一步之遥了】另外 ， 浸润式DUV和干式DUV ， 其中最大的区别 ， 就是在晶圆前面 ， 加了一层介质水 。
干式DUV采用的是空气作为光线传播的介质 ， 浸润式DUV采用的是水来做光线传播的介质 ， 而光线在水中产生折射 ， 193nm波长的光源 ， 折射后等效成13nm了 ， 波长更短 ， 于是分辨率更高了 。
所以干式DUV（ArF）和浸润式DUV（ArFi）的区别 ， 只是在工作台上面 ， 加了一层浸润式系统 ， 也就是一层水 ， 其它的是共用的 ， 而浸润式系统的技术难度 ， 并不是特别高 。
所以这台国产65nm的光刻机 ， 其实已经是干式DUV的极限了 ， 也是ArFi（浸润式DUV光刻机）之前的最后一台 ， 接下来只要攻克了浸润式系统 ， 就进入了浸润式光刻机 。
所以说 ， 接下来 ， 不出意外的话 ， 国产光刻机 ， 将很快跨进浸润式阶段 ， 一旦进入浸润式光刻机 ， 那么利用它 ， 可以实现7nm芯片的全部自给 ， 对外依赖程度将大大降低 。
到时候不管是ASML ， 还是美国 ， 想要卡我们芯片产业的脖子 ， 也就越来越难了 ， 因为浸润式光刻机 ， 如果发挥出极限 ， 不仅仅是7nm芯片制造 ， 5nm也是有可能的 。
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