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这几天 ， 华为的Mate60横空出世 ， 真的是把苹果、ASML、台积电都整懵了 。
当然 ， 真正把大家打懵圈的不是手机本身 ， 而是这台手机使用的麒麟9000S芯片 ， 代工厂未知 ， GPU核未知 ， 工艺未知 ， 甚至连CPU核都未知 ， 但正是因为这么多未知 ， 才掀起了大家的无限想象和猜测 。
这不 ， 连知名机构TechInsights都来凑热闹了 ， 将这颗麒麟9000S芯片进行了一翻分析 。
按照TechInsights的分析 ， 麒麟9000S的芯片尺寸为 107 mm2 ， 比麒麟9000(105mm2) 大2% 。
而通过对芯片上的关键尺寸(CD)进行额外测量 ， 发现这颗芯片比中芯国际的 14纳米工艺节点更先进 ， 但很明显 ， 临界尺寸(CD)比5nm芯片工艺节点更大 。
所以TechInsights认为 ， 这颗芯片具有7nm特性 ， 简单的来讲 ， 就是比14nm强 ， 比5nm逊色 ， 应该是7nm工艺 ， 或等同于7nm工艺 。
当然 ， TechInsights的分析 ， 是不是真的 ， 就见仁见智了 ， 但想来还是非常具有参考意义的 。
事实上 ， 之前媒体曾多次报道称 ， 在实现了14nm工艺后 ， 中芯有N+1工艺 ， 这个是等同于10nm工艺 ， 还有N+2工艺 ， 这个是等同于7nm的 。 而TechInsights认为 ， 这可能就是N+2工艺了 。
然后 ， 还有国外的媒体对麒麟9000S进行了封装级的拆解 ， 然后表示这颗芯片没有EUV光刻机光刻过的痕迹 ， 因为EUV光刻机和DUV光刻机进行光刻的话 ， 留下的痕迹会不一样 。
可能很多人还会有疑问 ， 我们不是没有EUV光刻机么？怎么能制造出等同于7nm的芯片来？
其实如果大家去看看ASML的光刻机分类 ， 就会发现其中浸润式光刻机 ， 采用193nm波长的光源 ， 但是在通过水的折射过 ， 等效于134nm ， 再经过多次曝光之后 ， 最高可以实现7nm工艺的 。
所以没有EUV ， 也能搞定7nm芯片 ， 没毛病 ， 只不过多重曝光之下 ， 良率会降低 ， 成本会上升 ， 所以用的少 。
【外媒评麒麟9000S芯片：介于14nm和5nm之间，没有EUV痕迹】不过 ， 随着这颗芯片曝光 ， 也有一些人也表现出了担忧 ， 那就是接下来会不会迎来新一轮更严格的限制呢？毕竟没有EUV也能制造等同于7nm的芯片了 ， 这应该是对方不愿意看到的事情啊 ， 美国之前的计划 ， 是锁死我们的芯片制造技术在14nm的 ， 现在居然突破14nm了 。
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