FinFET是什么?
业界主流芯片还停留在20/22nm工艺节点上的时候，Intel就率先引入了3D FinFET这种技术 。后来三星和台积电在14/16nm节点上也大范围用上了类似的FinFET技术 。下面我们统称为FinFET 。
FinFET(Fin Field-Effect Transistor)称为鳍式场效应晶体管，是一种新的晶体管，称为CMOS 。具体一点就是把芯片内部平面的结构变成了3D，把栅极形状改制，增大接触面积，减少栅极宽度的同时降低漏电率，而晶体管空间利用率大大增加 。
因为优势明显，目前已经被大规模应用到手机芯片上 。
经历了14/16nm工艺节点后，FinFET也历经升级，但这种升级是存在瓶颈的 。目前，大厂们正研究新的FD-SOI(全耗尽绝缘体硅)工艺、硅光子技术、3D堆叠技术等，斥资寻求技术突破，为日后7nm、甚至5nm工艺领先布局 。
LPE/LPP/LPC/LPU又是什么?
在工艺分类上，芯片主要分两大类：
HP(High Performance)：主打高性能应用范畴;
LP(Low Power)：主打低功耗应用范畴 。
满足不同客户需求，HP内部再细分HPL、HPC、HPC 、HP和HPM五种 。
HP和LP之间最重要区别就在性能和漏电率上，HP在主打性能，漏电率能够控制在很低水平，芯片成本高;LP则更适合中低端处理器使用，因为成本低 。
所以，芯片除了在制程上寻求突破，工艺上也会逐步升级 。
2014年底，三星宣布了世界首个14nm FinFET 3D晶体管进入量产，标志着半导体晶体管进入3D时代 。发展到今天，三星拥有了四代14nm工艺，第一代是苹果A9上面的FinFET LPE(Low Power Early)，第二代则是用在猎户座8890、骁龙820和骁龙625上面的FinFET LPP(Low Power Plus) 。第三代是FinFET LPC，第四代则是目前的FinFET LPU 。至于10nm工艺，三星则更新到了第三代(LPE/LPP/LPC) 。
目前为止，三星已经将70000多颗第一代LPE(低功耗早期)硅晶片交付给客户 。三星自家的猎户座8895，以及高通的骁龙835，都采用这种工艺制造，而10nm第二代LPP版和第三代LPU版将分别在年底和明年进入批量生产 。
不知不觉，手机芯片市场上已经进入了10nm、7nm处理器的白热化竞争阶段，而14/16nm制程的争夺也不过是一两年前的事 。
之前有人怀疑摩尔定律在今天是否还适用，就芯片的进化速度和技术储备来看，不是技术能力达不到，而是厂商们的竞争程度未必能逼迫它们全速前进 。
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