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熟悉存储的朋友可能都知道，近年来3D NAND技术的崛起，使得固态硬盘产品的存储容量实现翻倍，制造成本降低，大大加速了固态存储的普及。近日，笔者收到了来自韩国存储大厂科赋推出的、基于3D TLC NAND技术的CRAS C710 M.2固态硬盘。

科赋C710固态硬盘
通过命名，可以知晓这是科赋旗下CRAS C700 M.2的升级版本，其中最显著的升级便是容量标称上了，全新CRAS C710是足量的256GB/512GB/1TB ，而C700则是240GB/480GB/960GB非足量版本；当然了作为科赋固态硬盘系列家族的最新产品， CRAS C710除了在容量上有了显著的升级外，到底还有哪些其他方面的升级？话不多说，我们一起来看。

01产品解析：慧荣主控、Intel 3D TLC闪存颗粒

作为C700的继承者，全新C710在外观设计上依旧是标准的2280设计，支持NVMe 1.3协议标准，设计做工非常简洁；通体黑色的PCB板，并在背面进行了特殊工艺处理，十分具有质感。

通体黑色PCB板
在更为关键的核心组件方面，主控采用了慧荣公司研发的SM2263XT主控，这也是一款应用范围极广的经典主控产品，是慧荣第二代NVMe主控，是一款DRAM-less主控，支持4通道，支持PCIE 3.0×4标准，NVMe1.3协议，最大顺序读写可达2400/1700MB/s，最大随机4K性能达到250K/140KIOPS，支持LDPC ECC纠错机制，全区均匀抹除、温控调频、智慧SLC Cache等机制。

SM2263XT主控
正是在这些机制的加持下，全新科赋CRAS C710 M.2固态硬盘在使用寿命、数据安全、产品稳定方面都有着上佳的表现。
闪存颗粒上，采用Intel研发的、编号为29F01T2ANCTH2，3D TLC闪存颗粒，单颗容量128GB ，共计4颗，容量总计512GB 。

Intel研发 3D TLC颗粒
慧荣2263XT搭配Intel研发的3D TLC闪存颗粒，将会碰撞出怎样的火花？接下来进入测试环节。

02性能测试：读取2000+MB/s主流表现

在性能测试之前，我们先通过CrystalDiskInfo，了解一下此款固态硬盘的相关参数。

CrystalDiskInfo
在CrystalDiskInfo中，我们可以看到科赋C710的核心参数，支持标准NVMe 1.3协议，支持S.M.A.R.T ，同时也能了解到此款产品的读写入量和通电情况。
下面，我们将通过CrystalDiskMark、ATTO、Txbench进行连续性能测试，同时通过AS SSD Benchmark进行4K随机性能测试。
在连续性能测试环节，我们将通过CrystalDiskMark、Txbench和ATTO三款软件，进行连续性能测试。
CrystalDiskMark是一款来自日本的老牌硬盘性能测试软件，它能够在保证了连续读写、512KB和4KB数据包随机读写性能，以及队列深度（QueueDepth）为32的情况下的4K随机性能等常规测试外，还在队列设置，性能描述，以及测试数据块选择上都进行了优化，更符合当下硬盘的测试需求。

CrystalDiskMark测试
在CrystalDiskMark测试中，科赋C710的最大读取速度达到2056MB/S，最大写入速度达到1664MB/S ，接近理论最大性能。
在ATTO测试中，我们采用全新4.0版本的ATTO进行测试，AATO的优势在于，可以通过测试不同维度的数据块，进行模拟日常的实际工作场景，从而更符合产品的实际功能，测试成绩更有参考意义。