igbt是什么
1、IGBT是绝缘栅双极型晶体管 ， 是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点 。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大 。MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小 。
2、IGBT综合了两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低 。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域 。
igbt是什么电源IGBT作为电压控制型开关器件，IGBT的开关由栅极的电压控制 。大家都知道栅极电压升高，IGBT导通，栅极电压低，IGBT关断 。但是使用的时候还是很容易忽略栅极导通电压的高低对IGBT导通特性的影响 。
IGBT和MOS管一样，N沟道IGBT的导通依靠栅极吸引P型半导体的电子形成N沟道达到导通的效果 ， 只是IGBT把这个导通效果进行了放大以达到大电流开关的目的 。也就是说只要栅极的电压越高，N沟道的电子也就越多，IGBT的通流能力越大 。作为典型的大功率开关器件，为了提高电流控制能力，IGBT要求导通的时候栅极电压越大越好 。但是由于工艺的限制，一般的IGBT栅极耐压只能做到20V 。为了驱动的安全，大部分的IGBT厂家将IGBT的标准导通电压设定为了15V 。
igbt干什么用IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流，使IGBT导通 。反之 ， 加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断 。
IGBT兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的功能 。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,
IGBT中文名称是什么IGBT是什么？IGBT的英文全称为：Insulated Gate Bipolar Transistor，中文为：绝缘栅双极型晶体管 ， 它是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域 。
什么叫IGBTIGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点 。
【igbt是什么】
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