1、CMOS是场效应管构成(单极性电路),TTL为双极晶体管构成(双极性电路);
2、COMS的逻辑电平范围比较大(5~15V),TTL只能在5V下工作;
3、CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强,TTL则相差小,抗干扰能力差;
4、CMOS功耗很小,TTL功耗较大(1~5mA/门);
5、CMOS的工作频率较TTL略低,但是高速CMOS速度与TTL差不多相当;
6、CMOS的噪声容限比TTL噪声容限大;
7、通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路 。影响 TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻阻数值 。电阻数值越大,工作速度越低 。
【ttl和cmos的区别】
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