为什么原来说7nm是半导体工艺的极限,但现在又被突破了?
【反向短沟道效应的减少,短沟道效应如何改善】在半导体行业,所谓工艺极限是特定而相对的,特定指的是7nm极限是在半导体FinFET工艺下的物理极限;而相对的意思是每次遇到瓶颈的时候,工业界都会引入新的材料或结构来克服传统工艺的局限性 。10年前我们遇到了65nm的工艺极限,工业界引入了HKMG,用High-K介质取代了二氧化硅 。5年前我们遇到了22nm的工艺极限,工业界发明了FinFET和FD-SOI,前者用立体结构取代平面器件来加强栅极的控制能力,后者用氧化埋层来减小漏电 。
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