blueprints哪里的技术,关键点的区别到底在哪

中国光刻技术与荷兰ASML EUV光刻技术的关键区别在于紫外光源和光源能量控制的不同 。传统的技术分析方法,大部分是基于道氏理论、艾略特波浪理论、日本蜡烛图技术分析方法等 。再次,用这种方法创造的一些经典技术指标,如MACD、均线、KDJ等 。这些传统的技术方法的优点是能够搞清楚个股每个阶段的波动,把握个股每个阶段的买卖点,或者每个阶段上市的机会和风险,准确买卖个股 。
贾跃亭的FF汽车到底技术先进在哪里?请技术控解释下?
贾跃亭的FF汽车目前还没有量产,技术是否先进就很难评判了 。不过,我们可以探讨一下,为什么贾跃亭砸了这么多钱,车却出不来,原因无非有两点,一是,新能源产业链没建起来的情况下,汽车自然造不出来 。举个例子,苹果来中国找富士康代工,意味着把整个产业链都带来了中国,所以苹果来了之后,小米、华为、包括OPPO、VOVO才能迅速崛起,
在此之前,国内智能手机市场还是三星、HTC、摩托罗拉,而这三个品牌并没有在中国完全代工生产 。汽车也是一样,贾跃亭看见特斯拉在美国火了,想在做中国的特斯拉,但问题是,特斯拉自己的产品都一堆毛病,产量也低,产业链还没形成 。中国新能源产业链基本没有,在这种情况下,砸再多的钱,贾跃亭也造不出来,二是,自己没有核心的技术,造车很难的 。
中国的光刻机技术和荷兰的光刻机技术,关键点的区别到底在哪?
中国的光刻技术和荷兰ASML的EUV光刻技术,关键点的区别在于采用紫外光源的不同和光源能量控制,一、中国光刻技术采用193nm深紫外光源,荷兰ASML的EUV采用13.5nm极紫外光源 。光刻是制程芯片最关键技术,制程芯片过程几乎离不开光刻技术,但光刻技术的核心是光源,光源的波长决定了光刻技术的工艺能力 。
我国光刻技术采用193nm波长的深紫外光源,即将准分子深紫外光源的波长缩小到ArF的193nm,它可实现最高工艺节点是65nm,如采用浸入式技术可将光源缩小至134nm 。为提高分辨率采取NA相移掩模技术还可推进到28nm,到了28nm以后、由于单次曝光的图形间距无法进一步提升,所以广泛使用多次曝光和刻蚀的方法来求得更致密的电子线路图形 。
荷兰ASML的EUV光刻技术,采用是美国研发提供的13.5nm极紫外光源为工作波长的投影光刻技术,是用准分子激光照射在锡等靶材上激发出13.5nm光子作为光刻技术的光源 。极紫外光源是传统光刻技术向更短波长的合理延伸,被行业赋予了拯救摩尔定律的使命,当今的ASML的EUV光刻技术,巳能用13.5nm极紫外光制程7nm甚至5nm以下芯片 。
而我国还是采用193nm深紫外源光刻技术,如上海微电子28nm工艺即是如此,虽然我们采用DUV光刻技术通过多重曝光和刻蚀方法提升制程工艺,但成本巨大、良率较低、难以商业化量产 。所以光源的不同导致光刻技术的重大区别,二、在光刻技术的光源能量精准控制上,我国光刻技术与荷兰的EUV也有重大区别 。光刻技术的光学系统极其复杂,要减小误差达到高精度要求,光源的计量和控制非常重要,
它可通过透镜曝光的补偿参数决定光刻的分辨率和套刻精度 。光刻技术的分辨率代表能清晰投影最小图像的能力,和光源波长有着密切关係,在光源波长不变情况下,NA数值孔径大小直接决定光刻技术的分辨率和工艺节点 。我国在精密加工透镜技术上无法与ASML采用的德国蔡司镜头相比,所以光刻技术分辨率难以大幅提高,套刻精度是光刻技术非常重要的技术指标,是指前后两道工序、不同镜头之间彼此图形对准精度 。
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