28nm光刻机公布后，华为理性表态: 国产芯片制造处于落后状态

2024-09-25 17:31

文章图片

文章图片

文章图片

前几天工信部发布了《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录(2024）》，而这份目录出现了两款国产光刻机，一款是照明波长为248nm的氟化氪光刻机。这款光刻机工艺较为落后，并没有引起市场关注。

【28nm光刻机公布后，华为理性表态: 国产芯片制造处于落后状态】而另一款氟化氩国产光刻机就不得了，这款光刻机照明波长达到193nm ，是一款DUV式光刻机。
并且这款光刻分辨率≤65nm ，套刻≤8nm ，理论上生产8nm芯片。基于此，国内网友都异常兴奋，高呼我们拥有8nm光刻机，可以生产8nm芯片了。
客观的讲，套刻8nm只是理论上可以生产8nm芯片，但需要经过多次曝光，这里面的成本是一个天文数字，没有任何现实意义。

而按照套刻比例1:3计算，这款套刻8nm的氟化氩光刻机可以生产28nm芯片。即便如此，这里面的曝光成本也极大，完全是亏本买卖。
可以说这款套刻8mm、分辨率65nm光刻机在芯片生产过程中的经济价值不大，远没有ASML的1970i型、1980i型光刻机先进。
要知道这两款光刻机已经量产过7nm芯片，量产28nm芯片更是轻而易举。而1970i型光刻机和1980i型光刻机是ASML比较落后的光刻设备，所以我们的这款套刻8nm光刻机和ASML比起来至少有20年的差距。

虽然事实摆在眼前，但很多网友和科技博主并不在意。他们在网上大肆宣传，诸如国产光刻机已经达到8nm工艺；华为用国产光刻机生产出7nm芯片；国内半导体厂商已经掌握5nm工艺等等。
而正当大家都兴致勃勃的时候，华为给出了理性表态。最近华为在上海召开了华为全联接大会，在大会上华为轮值董事长徐直军表态:美方对我国的制裁是长期的，我国的半导体制造工艺将长期处于落后状态。

华为是国内半导体行业的引领者，其自研自产的麒麟9000S、麒麟9010芯片是目前最强国产手机芯片，可以说国内没有哪家半导体公司在芯片领域比华为更专业。
现如今华为高管的表态就是告诉国内用户、厂商要理性，不能高估了我们的半导体制造工艺。在很长一段时间内，我们在半导体制造工艺上处于落后状态。

其实这不是华为第一次表态我国半导体制造工艺落后的言论，早在今年5月份的时候华为高管就表态过:我们肯定得不到3nm、肯定得不到5nm ，能解决3nm就非常好了，我们的创新方向应该是在系统架构上。
从华为的多次表态可知，华为深知我国半导体制造工艺的短板，那就是我们目前还未解决7nm工艺，正在向7nm芯片性能上的方向去突破，而这种突破的方向是在系统架构上，而非芯片工艺制程上。

写在最后
国产氟化氩光刻机按照分辨率参考应该是65nm光刻机，按照套刻比例1:3计算应该是28nm光刻机，因此国产光刻机离生产14nm工艺、8nm工艺、7nm工艺还有更长一段距离。
华为的表态无疑是理性的，这让我们浮躁的光刻机氛围变得更脚踏实地，不至于看不清自己的实际情况而骄傲自满了。

推荐阅读

上一篇：行业唯一的坚持！魅族Lucky 08星耀白采用白色屏幕面板

下一篇：鸿蒙Next官宣：10月8日开启公测，快看有没有你的手机！