28nm光刻机公布后，华为理性表态: 国产芯片制造处于落后状态
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前几天工信部发布了《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录(2024）》 ， 而这份目录出现了两款国产光刻机 ， 一款是照明波长为248nm的氟化氪光刻机 。 这款光刻机工艺较为落后 ， 并没有引起市场关注 。
【28nm光刻机公布后，华为理性表态: 国产芯片制造处于落后状态】而另一款氟化氩国产光刻机就不得了 ， 这款光刻机照明波长达到193nm ， 是一款DUV式光刻机 。
并且这款光刻分辨率≤65nm ， 套刻≤8nm ， 理论上生产8nm芯片 。 基于此 ， 国内网友都异常兴奋 ， 高呼我们拥有8nm光刻机 ， 可以生产8nm芯片了 。
客观的讲 ， 套刻8nm只是理论上可以生产8nm芯片 ， 但需要经过多次曝光 ， 这里面的成本是一个天文数字 ， 没有任何现实意义 。
而按照套刻比例1:3计算 ， 这款套刻8nm的氟化氩光刻机可以生产28nm芯片 。 即便如此 ， 这里面的曝光成本也极大 ， 完全是亏本买卖 。
可以说这款套刻8mm、分辨率65nm光刻机在芯片生产过程中的经济价值不大 ， 远没有ASML的1970i型、1980i型光刻机先进 。
要知道这两款光刻机已经量产过7nm芯片 ， 量产28nm芯片更是轻而易举 。 而1970i型光刻机和1980i型光刻机是ASML比较落后的光刻设备 ， 所以我们的这款套刻8nm光刻机和ASML比起来至少有20年的差距 。
虽然事实摆在眼前 ， 但很多网友和科技博主并不在意 。 他们在网上大肆宣传 ， 诸如国产光刻机已经达到8nm工艺；华为用国产光刻机生产出7nm芯片；国内半导体厂商已经掌握5nm工艺等等 。
而正当大家都兴致勃勃的时候 ， 华为给出了理性表态 。 最近华为在上海召开了华为全联接大会 ， 在大会上华为轮值董事长徐直军表态:美方对我国的制裁是长期的 ， 我国的半导体制造工艺将长期处于落后状态 。
华为是国内半导体行业的引领者 ， 其自研自产的麒麟9000S、麒麟9010芯片是目前最强国产手机芯片 ， 可以说国内没有哪家半导体公司在芯片领域比华为更专业 。
现如今华为高管的表态就是告诉国内用户、厂商要理性 ， 不能高估了我们的半导体制造工艺 。 在很长一段时间内 ， 我们在半导体制造工艺上处于落后状态 。
其实这不是华为第一次表态我国半导体制造工艺落后的言论 ， 早在今年5月份的时候华为高管就表态过:我们肯定得不到3nm、肯定得不到5nm ， 能解决3nm就非常好了 ， 我们的创新方向应该是在系统架构上 。
从华为的多次表态可知 ， 华为深知我国半导体制造工艺的短板 ， 那就是我们目前还未解决7nm工艺 ， 正在向7nm芯片性能上的方向去突破 ， 而这种突破的方向是在系统架构上 ， 而非芯片工艺制程上 。
写在最后
国产氟化氩光刻机按照分辨率参考应该是65nm光刻机 ， 按照套刻比例1:3计算应该是28nm光刻机 ， 因此国产光刻机离生产14nm工艺、8nm工艺、7nm工艺还有更长一段距离 。
华为的表态无疑是理性的 ， 这让我们浮躁的光刻机氛围变得更脚踏实地 ， 不至于看不清自己的实际情况而骄傲自满了 。
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