很气愤！美国打压中国NAND芯片后，美光、三星迅速领先了_三星|芯片|it芯片

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近日，美国存储芯片巨头美光宣布其第九代（G9）TLC NAND SSD开始量产，这种G9 NAND具有3.6 GB/s的传输速度，存储密度最高提高73% ，采用的是276层3D堆叠技术。
事实上，不只是美光，三星近日也宣布，开始量产四层单元(QLC)第九代V-NAND ，采用的是290层堆叠技术。
SK海力士则已经展示了其321层堆叠闪存产品，并表示在2025年，要实现400+层产品的研发。

可能大家并不清楚，对于NAND这种存储芯片而言，不能一味的提升制程工艺，因为当工艺进入18nm之后，越是微缩，那么越不稳定，所以大家提高存储密度，提升技术，不是从18nm变10nm、7nm等，而是加大堆叠的层数。
从最开始的32层，到64层，再到128层， 232层……再到如今的300层、400层等等，这个就是各大厂商们的技术路线。

国内存储芯片相比于美国、韩国，起步晚，在2016年的时候，国内存储芯片产能为0 ，就是100%靠进口。
后来国内有了长存、长鑫、晋华，其中晋华被美光等起诉，基本处于停滞，也就是长存、长鑫在努力了，长存主攻NAND闪存，长鑫主攻DRAM内存。
其中长存自研了晶栈（Xtacking）技术，在2022年成为全球首家量产232层 3D NAND闪存的厂商，比美光、三星、SK海力士都先进一些。

不曾想，马上在2022年底，就迎来了美国的打压，美国限制全球半导体设备厂商，将先进设备卖给长存，限制其232层闪存的生产，免得国产存储成长太快，抢走了美光、三星等的份额。
本来领先的时间窗口就不长，限制长存，自然让三星、SK海力士、美光等迅速追了来，后来这三大巨头，也是迅速推出了232层的3D NAND闪存。
然后从2022年到2024年，这三大巨头，不仅推出了232层闪存，如今更是又前进一步，推出达到300层堆叠技术去了。

而长存呢，因为设备被限制，无法从海外进口先进的设备了，而技术要想前进，只能和国产供应链一起，进行国产突破和替代。
可以说，看到这样的消息，真的是气愤，如果不是被打压，国产3D NAND闪存，不仅技术不输给国际巨头，并且肯定已经拿到了众多的份额，足以和美光、三星、SK海力士们在同一竞技场上PK了。

【很气愤！美国打压中国NAND芯片后，美光、三星迅速领先了】