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中国要造出5nm的光刻机需要多长时间呢?

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光刻机,就是用光线在硅晶圆上刻画出电路图来 。所以最核心的分为两方面:一是技术,二是工艺 。落实到具体的对象上,就是镜头和激光光源,以此来分析中国在这两项技术上的所需的进程,就能大致了解中国造出5nm的光刻机需要多长时间了 。为何非要5nm这个参数级的光刻机中国的中芯国际最近向荷兰的ASML成功订购了一台光刻机,但生产最高极限是7nm的芯片,要想突破7nm的这个技术瓶颈,就必须使用EUV(极紫外光源)技术,这所购的这台光刻机不含EUV光源的技术 。
不是可以买吗?但买到 。因为:EUV(极紫外光源)研究是多个国家参与的(包括美国) 。根据《瓦森纳协定》美国就可以决定不卖给你 。上面说的中芯国际订购的7nm芯片的光刻机,如果美国要使坏,要想成功订购也是不容易的 。20年前明确的目标,是5nm的EUV光刻机研发的最佳时间早在1999年,EUV光刻机的地位就已经很明确了,谁有了EUV光刻机的技术,谁就有了芯片领域的未来 。
1997年的时候,美国的多家企业就发现了EUV技术商业价值,就联合进行了开发,也已明确了目标,这是全世界都不是什么秘密,中国没有进行相应的产业调整和重视 。研发5nm的EUV光刻机所需的资源5nm的光刻机,必然要用到EUV技术,美国研发的最早,我们看一下世界范围内关于EUV技术研究和投入的情况:1、美国美国对EUV技术的研发时间最长,总共投入了50多个高校和科技企业进入到这个领域,最终在EUV光刻机领域,美国的占领先地位,收益也是最大的 。
2、欧洲对于EUV光刻机看的最重,联合了35个国家,共110多个高校和企业加入到研究的行列中 。3、日本和韩国投入相对较小,但也有一定的成果就是说,EUV(紫外光源)的研究是多个国家参与的,包括了美国、欧洲多国还有日本、韩国,美国出力最多,所以不买给中国 。结论:几十个国家,上百所研究单位,花费了20多年的时间,才研发出今天的EUV光刻机,实现了5nm级别制程的芯片 。
到底研究了啥要生产EUV光刻机,最关键和核心的研究课题有两个:镜头和激光光源 。1、镜头现在世界上高端光刻机使用的是德国的卡尔蔡司光学镜头,世界上没有哪家公司能够复制卡尔蔡司的技术 。从长远观点看,中国也应发展自己的高端镜头产业,但中国与德国的关系还算可以, 不妨先拿来用,一边用一边研究,这样可以减少研发时间 。
2、激光光源这个核心技术是必须研究的,因为美国把持着《瓦森纳协定》,中国处在被禁运国家之列 。就是说只要美国干预,中国将无法获得EUV光刻机 。因为这个EUV技术,美国和欧洲几十个国家(包括日本和韩国)研究了20多年,中国需要用多久呢?心里应该有一个底了吧 。综上所述,中国要研发EUV技术需要投入相当大的资源,当然中国是一个工业部门齐全的大国,集中力量办大事是中国制度的优点,但是,研发需要遵重科学规律,要有一个过程,像欧美日韩都需要近20年时间,那们打个折扣,总需要10年吧 。
【帝国CMS模板网,冰刻机】冰刻技术,在理论和技术上能实现现在的EUV光刻机的精度吗?
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冰刻技术完全可以实现与EUV光刻机相当的精度 。只不过要实现这个精度,必须让电子束直写光刻机的的分辨率达到纳米级别才行 。其实“冰胶 电子束”的效率是远远比不上“光刻胶 光刻机”的 。因为要让水蒸气凝结在晶片上,还必须在零下140℃进行,此外使用的还是电子束刻机,要一点一点的进行雕刻那速度比较慢 。从制造效率上来看,这种冰刻技术是不如光刻机的 。

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