而冰刻的分辨率主要取决于电子束刻机，虽说电子束直写光刻机的精度已经达到了10纳米左右甚至以下的精度，但是国内电子束直写光刻机的精度在1微米，还没有达到纳米级别 。事实上，冰刻技术只是将化学的光刻胶换成了水蒸气而已 。早在2018年，就发布了冰刻系统，这次的冰刻则是其升级版，主要就是将原料生产为成品 。由于传统的光刻胶属于化学试剂，在光刻完成后还要进行清洗，清洗不干净的话就会导致良品率下降 。
而使用水蒸气凝固代替传统的光刻胶之后，就不存在清洗不干净这类问题了 。在电子束的作用下，凝固的水蒸气可以直接液化消失而不会残留在晶片上，这样一来就不会导致晶片被污染了，这是冰胶相对于传统光刻胶的优势所在 。但是使用冰胶前，要将晶片放在零下140℃的真空环境中，给其降温，再通入水蒸气 。相对于传统的光刻胶来说，就多了这样一个步骤 。
估计当水蒸气凝固在晶片上之后，从拿出来，到光刻完成之前都要在0℃以下的环境中进行操作，毕竟温度超过0℃，凝固的水蒸气就有可能液化成水，这也是相对于传统光刻胶的一个缺点 。由于冰刻系统的分辨率与电子束直写光刻机的分辨率有关，只要电子束直写光刻机的分辨率可以达到EUV光刻机的分辨率，那么使用冰刻系统生产的芯片的制程工艺就可以达到EUV光刻机的生产芯片的制程工艺 。
只不过，现在世界上分辨率最高的电子束直写光刻机掌握在日本的JEOL和Elionix这两家公司手中 。其中JEOL公司制造的的JBX-9500S电子束直写光刻机的套刻精度为11纳米，最小分辨率在0.1纳米左右 。而Elionix公司制造ELF10000电子束直写光刻机的分辨率为100纳米 。而国产BGJ-4电子束直写光刻机的分辨率为1微米，由此可见，即便使用了冰胶，在立足于国内电子束直写光刻机的前提下，是达不到国产SSA600/20的分辨率，更别说赶上EUV光刻机了 。
我国碳基芯片的发展还是很快的，基本上与美国的技术不相上下 。目前的碳基芯片已经突破到了3纳米，而我国正在向0.5纳米进发 。碳基芯片的性能要比传统的硅基芯片强不少，基本上90纳米的碳基芯片性能相当于28纳米的硅基芯片，45纳米的碳基芯片相当于7纳米的硅基芯片 。只不过，碳基芯片依然要用到光刻机，现阶段国内制程工艺最小的光刻机也停留在90纳米，而使用冰胶的电子束直写光刻机还在微米层 。
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