目前国内研究光刻机的企业不少，因为光刻机实在太重要了 。由于光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平，光刻成为 IC 制造中最复杂、最关键的工艺步骤， 光刻的核心设备——光刻机更是被誉为半导体工业皇冠上的明珠 。目前最先进的是第五代 EUV光刻机，采用极紫外光，可将最小工艺节点推进至 7nm 。由荷兰 ASML制造 。
国内光刻机技术比较先进，已经量产的应该是上海微电子装备有限责任公司（简称SMEE)，已经实现90nm的量产，目前正在研究65nm的工艺 。其他的包括 合肥芯硕半导体有限公司、先腾光电科技有限公司、无锡影速半导体科技有限公司等一些企业，在光刻机上衣和有自己的成果 。但这些光刻机企业，目前还是在原来的道路上一步一步往前走，相信只要努力，未来也能达到很高的水平 。
但对于光刻机行业来说，他们的追赶速度虽然很快，但技术进步的速度也是很快 。所以，他们只能持续在低端方面，占有一定的市场份额 。如果要进入高端市场，目前国内最先进的光刻机技术，应该是中科院光电技术研究所的技术成果 。2018年11月29日，新华社报道称，国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”29日通过验收 。
据悉，该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制，光刻分辨力达到22纳米，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10纳米级别的芯片 。也就是中国科学院光电技术研究所的这个成果，直接将中国光刻机技术向前推进好几代 。当然，这个科研成果，距离完整实现量产，还有好几个关卡要过 。首先是光刻分辨力达到22纳米只是一次极限测试，属于单次曝光，还制造不了芯片 。
其次是，能够实验室制造芯片，还要实现量产，这又是一个关卡 。但总的来说，已经有了“光刻分辨力达到22纳米”，那么距离成型机，已经没有那么遥远了 。更重要的是，目前的紫外线光刻技术，在7nm的芯片出来之后，已经需要一个新的工艺突破 。就像当年从液浸式到 EUV的技术飞跃一般 。而中科院这个项目，走了另外一条道路 。
拿一块金属片和非金属片亲密接触，界面上有一些乱蹦的电子;光投影在金属上，这些电子就有序地震荡，产生波长几十纳米的电磁波，可用来光刻 。这叫表面等离子体光刻 。这条道路的优势是未来的成本可以低于目前主流的技术，极限可能高于未来的主流技术，在原理上突破分辨力衍射极限，建立了一条高分辨、大面积的纳米光刻装备研发新路线，绕过国外相关知识产权壁垒 。
中国要以一国之力制造光刻机，对他国来说是不是很恐怖的存在？
首先，这应该是在中兴被制裁时就该宣布的，因为那时候宣布的话，美国就不敢制裁华为了，就算制裁，我们也早实施了一年，这才是战略洞察能力下的底线思维 。其次，一定可以造出来，但是需要多久很难说 。最后，被动选择国产化的道路，其他国家不会恐怖，因为他们知道了来龙去脉，而让美国恐怖本身就已经是战略胜利了，没准美国一怂，哪里敢和你打贸易战呢？这就叫交易的艺术 。
90%的二手半导体设备流入中国，日本为何不担心芯片和光刻机？
先说为什么90%的二手半导体设备流入中国 。中国要实现2025年芯片自给率70%的目标 。在此背景下，作为芯片制造的基础和核心的半导体设备成为了香饽饽 。由于技术落后和自给率不足，中国不但大量购买一手半导体设备，而且还大量购买二手半导体设备 。因此，90%二手半导体设备流入中国 。并且这些设备还出现了不同幅度的溢价 。
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