中国是全球最大的功率半导体消费国 。根据IHS数据，2018年，我国功率半导体市场规模达到138亿美元，增速为9.5%，占全球需求比例高达35% 。2021年我国功率半导体市场规模有望达到159亿美元，年复合增长率达到4.83%，超过全球功率半导体增长速度 。功率半导体产品可以分为功率分立器件、电源管理IC和功率模组三大类 。
根据Yole Development的数据，2018年全球功率半导体中分立器件/模组/功率IC占比32.7%、13.3%和54.0% 。分立器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等半导体功率器件产品；其中，MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件，相比于功率三极管、晶闸管等电流控制型开关器件，具有易于驱动、开关速度快、损耗低等特点 。
对国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而MOSFET、IGBT等分立器件产品由于其技术及工艺的先进性，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间大 。IHS Markit预测，MOSFET和IGBT是未来5年增长最强劲的半导体功率器件 。MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管 。
MOSFET具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用范围涵盖电源管理、计算机及外设设备、通信、消费电子、汽车电子、工业控制等多个领域 。IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件 。IGBT具有电导调制能力，以及较强的正向电流传导密度和低通态压降 。
IGBT的开关特性可以实现直流电和交流电之间的转化或者改变电流的频率，有逆变和变频的作用，应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域 。IGBT是新能源汽车电控系统和直流充电桩的核心器件，成本占到新能源汽车整车成本的10%，占充电桩成本的20% 。由于未来几年新能源汽车/充电桩等新兴市场的快速发展，IGBT等半导体功率器件将迎来黄金发展期 。
【CAGR的计算方式和意义应如何正确理解,GAGR】中国产业信息网数据，到2020年全球IGBT单管市场空间达到60亿美元左右，预计未来五年我国新能源汽车和充电桩市场将带动200亿元IGBT模块的国内市场需求 。电源管理IC在电子设备中承担变换、分配、检测等电能管理功能，有提升集成度、模块化、数字化的发展趋势，同时GaN、SiC等新型材料研发与应用也为电源管理IC发展注入全新动力 。
得益于下游消费电子、新能源汽车、通讯行业近几年的快速发展，电源管理IC市场近几年持稳健增长的态势 。由于复杂电子系统对电压和电流水平的要求不断提高以及需要将系统与电源隔离，用于功率管理的模拟IC将迎来持续的增长 。根据yole的全球电源管理IC市场追踪报告，2022年，电源管理IC市场将达到180亿美元，2016至2020年间，有望实现3.6%的复合年增长率 。
从市场格局来看，全球功率半导体市场中，海外龙头企业占据主导地位 。半导体分立器件起源于欧美，日韩后续不断形成其自身竞争优势 。在MOSFET领域，根据iHS数据，收入前五大厂商高分别为英飞凌、安森美、瑞萨、东芝和意法半导体，市占率合计为62%，集中度较高，英飞凌以27%的市占率高居龙头地位，长期稳居行业第一 。
目前，国厂商由于技术落后，主要在低压领域布局，在中高压领域基本还是外国企业处于主导地位 。在IGBT领域，根据IHS数据，2018年全球IGBT市场收入前五大供应商分别为英飞凌、三菱、富士机电、赛米控、威科电子，五家企业市场份额为67%，占比较大 。其中，英飞凌一家市占率就高达34% 。在功率IC领域，总体来看，市场竞争格局比较成熟，美国厂商具有绝对优势，日本企业虽然数量众多，但是市场份额普遍较小 。
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