PECVD去除二氧化硅与RIE的区别是什么？
RIE：Reactive Ion Etching, 作为蚀刻用途，那么需要一个向下轰击的能量，所以蚀刻用的设备下电极都必须有一个RF power 。PECVD：是用于沉积膜，只需要将气体离子化，增加薄膜沉积速率，而应该避免向下轰击的作用，所以PEVCD的RF power都是加在上电极 。2、Plasma内化学性腐蚀是没有方向性的，但是离子的轰击有方向性，就是靠Plamsa的正负离子的移动产生DC Bias, 该DC bias的大小除了与RF，腔体结构有关外，还与电极的大小有关 。
电极小的一端产生的DC Bias较大 。RIE腔体，RF不管是加在上电极还是下电极，只要下电极维持高的DC bias就行 。PECVD 下电极（wafer）接地，不产生DC Bias 。Sputter的较大DC bias加在靶材一极 。3、RF的电极接法不同时,所产生的效果完全不同：通常也有电极接在下电极的PECVD，不过此法之电极会常常导致轰击的效应，成膜的质量通常会较差甚至是peeling，尤其是组件的电性常会受到损伤的 。
更差的状况是堆积的膜的速率小于自我轰击的速率,因此而无法成膜上去的 。因此一般PECVD不会将电极接在下电极 。ICP 与 PECVD 的区别1. ICP有上下两个电极（射频RF），PECVD是不是也有上下两个电极（射频RF）？答：PECVD也有上下两个电极，不同的工艺配置不同，有些工艺如PE SiO2就只用到上电极（HF） 。
ICP是上电极加低频（LF）感应耦合产生等离子体，下电极加高频（HF）来产生偏置电压提供离子能量；而PECVD则相反，上电极加高频（HF）用来离化反应气体，下电极加低频（LF）提供偏置电压控制膜应力 。ICP：属电感耦合机构，除了上下电极还有一个偏压电极.加强离子蚀刻PECVD：属于电容耦合机构，仅上下电极.一般属阳极耦合而RIE属阴极耦合2.ICP有ESC，并且要求HE冷却，同时片台的温度要保持在20度 。
PECVD呢？答：PECVD因为是等离子体化学气相淀积，一定的工艺温度必不可少，一般温度控制在350-400度左右 。ICP：怕芯片过热造成蚀刻不均；PECVD：怕腔体外部太热3.ICP有DC BIAS 和VPP的指标，PECVD是否有？答：由于ICP与PECVD的工艺原理有差别，所有PECVD一般没有DC BIAS和VPP的指标，只需控制FORWARD POWER就OK了 。
【PECVD,NAURA创新】ICP：属电感耦合机构.除了上下电极还有一个偏压电极.所以有BIAS 和VPP的指标 。PECVD：属于电容耦合机构.仅上下电极.一般属阳极耦合则没有你所谓的BIAS 和VPP的指标，而阴极耦合则有你所谓的BIAS 和VPP的指标4.ICP的上电极的DIW冷却到底冷却的什么地方？不会是冷却电极的线圈吧？还是冷却的什么其它地方？PECVD呢？答：ICP上电极的DIW用来冷却感应线圈的，而PECVD的电极部分一般无需冷却 。
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