ASML也是通过收购了全球领先的准分子激光器厂商Cymer ， 才获得光源技术的保障 。我国在实验室绕过专利壁垒实现了9nm光刻2016年底 ， 华中科技大学国家光电实验室目前利用双光束在光刻胶上首次完成了 9nm 线宽 ， 双线间距低至约 50nm 的超分辨光刻 。未来将这一工程化应用到光刻机上可以突破国外的专利壁垒 ， 直接达到 EUV 的加工水平 。
据说 ， 与动辄几千万美元的主流光刻机乃至一亿美元售价的 EUV 光刻机相比 ， 我国的新技术使得光刻硬件只需要一台飞秒激光器和一台普通连续激光器 ， 成本只是主流光刻机的几分之一 。但一个产品从实验室 ， 走向最后的落地 ， 何其漫长艰难 。结论是专利不是我们自主高端光刻机的最大难点光刻机在芯片制造过程中起着至关重要的作用 ， 再难也要坚持攻关 ， 为了使我国的半导体产业链不受制于人 ， 我们需要加快光刻机的研制步伐 ， 刻不容缓 。
造出ASML那种光刻机 ， 我们中国需要多久 ， 需要做什么？
题主所指ASML光刻机、应该是指制程在7nm以下芯片ASML的EUV光刻机 。这种光刻机、是制程高端芯片的核心设备 ， 由几万个零部件组成 ， 集聚了许多高科技顶尖技术 。有人形容光刻机是“半导体工业皇冠上的明珠” 。而当前5G移动终端中的关键芯片 ， 只有ASML的EUV光刻机能制程7nm甚至5nm的高端芯片 。那我们中国需要多久才能制造出这种高科技水平的光刻机呢？一、我们的光刻机技术有一定储备 ， 起步不算太晚 。
但因选择路径方向问题起了个大早、却没能赶上晚集 。我国早在1956年就将半导体技术列为当时国家新技术的紧急措施 ， 比日本还早二年 。並在1958年中科院拉出了中国第一根硅单晶 ， 即今天的硅晶圆 。1980年 ， 清华大学研制出第四代分布式投影光刻机、精度高达3微米接近国际主流水平 ， 仅次于美国 。而到了今天 ， 用中科院微电子所刘明院士的话说：国内的光刻机技术与国外技术差距有15到20年 。
本来我们可以在光刻机技术上与ASML一争雄长 ， 但我们放弃了 。导致现在每年80/%的芯片靠进口 ， 2019年超过了二万亿、出了大钱还要看人脸色 。二、中国需多久才能造出媲美ASML的EUV光刻机 。在高端芯片生产上我们并不弱 。如北斗三号导航系统芯片、超级计算机、载人航天的嫦娥四号、歼20高性能芯片等等都是国产自主、顶级领先的 。
这些技术和产品、美国是不可能卖给我们的 。所以 ， 在光刻机制造芯片领域我们不是整体落后、有一定技术储备和设备基础 。科技随着市场走 ， 从商业化考虑的是性能和成本 。芯片的投入比是市场价的20/% ， 不是纯利润的20/% 。如高通的40/%利润在中国 ， 没有足够的利润支撑进一步科技投入 ， 光刻机技术进步将放缓、也给我们追赶顶端光刻机技术留下了宝贵时间 。
美国禁售华为芯片 ， 华为的确受困 。但中国产品去美化、我国加大政策扶持力度、增加资金投入和研发光刻机进度 ， 与先进水平的距离就会减小到7到8年 。还有 ， 科学技术日新月异 ， 光刻机研发技术和手段丰富多样化 。以前造一架飞机图纸就要几卡车、造两弹一星用手摇计算机要很长时间 ， 现在辅以其它设施一部电脑就够了 ， 技术手段也更加先进和多样化 。
中国有众多卓越的科研人员、齐全的工业体系、集中力量办大事的传统 ， 在3到5年时间内即可生产出媲美ASML的EUV光刻机 。局座张召忠面对媒体说过这样一句话：“三年后美国的芯片卖不出去 ， 满大街都是” 。寓意是中国造出顶端光刻机后对美国的芯片会大幅减少依赖 。三、中国现在攻关制造顶级光刻机需要做什么？具体来说：是政策支持、尊重科学、实事求是、砥砺前行 。
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