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在2017年前 , 国内没有存储芯片生产能力 , 几乎100%靠进口 。
不管是DRAM内存颗粒 , 还是SSD这样的产品中使用的NAND芯片 , 全部是国外品牌 , 没有国产的 。
也正因为如此 , 所以后来中国成立了三大内存生产基地 , 分别是长鑫存储、长江存储、晋华 。
后来晋华为被美光起诉 , 被美国制裁等 , 陷入停滞状态 , 只有长鑫、长存在努力 , 一个主攻DRAM内存 , 一个主攻NAND闪存 。
【被美国打压后,长存进行国产替代,但技术倒退至160层?】但因为都是2017年左右才算真正开始 , 所以相比于三星、美光、SK海力士这样的国际巨头 , 落后了几十年 。
在这样的落后的情况之下 , 中国厂商却努力突破 , 研发各种技术 , 以期追上世界顶尖水平 。
而在2022年的时候 , 长存做到了 , 率先在全球推出第一款232层堆叠的3D NAND闪存芯片 , 领先于美光、三星、SK海力士 。
于是美国害怕了 , 担心中国存储芯片崛起 , 威胁到美国的地位 , 于是将长存拉入黑名单 , 进行制裁 , 不允许先进设备卖给长存 。
在这样的情况之下 , 长存怎么办?只能进行国产替代 , 用国产设备来替代国外的设备 。
近日 , 有媒体报道称 , 虽然被美国打压 , 但长江存储展现出了惊人的韧性和创新能力 , 积极转向国内半导体设备供应商 , 如中微公司、北方华创和拓荆科技 , 已经成功实现了部分美系设备的替代 。
不仅保障了生产线的稳定运行 , 还推动了国产半导体设备的技术进步 。 还开发出了晶栈Xtacking4.0技术 , 并推出了搭载该技术NAND产品 。
据TechInsights对长存TiPlus7100 SSD的拆解 , 发现了可能应用xtacking 4.0工艺的颗粒 。
TechInsights表示 , 这款产品晶粒密度为12.66 Gb/mm2 , 芯片密度为0.632 mm2/GB , 而层数大约为160层 。
与之前232层相比 , 从层数来看 , 确实是倒退了76层 , 从232层倒退至160层了 。 为何会倒退了呢?专业人士表示称 , 这是因为逐渐加大设备国产化的力度 , 以应对美国对设备的制裁 。
而国产设备确实在先进性方面 , 逊色于美国以及日本的设备一筹 , 所以长存特别降低了层数 , 是为了和国产设备相适配 , 同时提高良率 , 从而采用了较低的复杂性和芯片尺寸 , 来保证产品正常量产 。
所以 , 表面上来看 , 技术有一定倒退 , 但实际上却是整个国产供应链的胜利 , 因为这代表的是国产供应链的一大进步!
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