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在2017年前 ， 国内没有存储芯片生产能力 ， 几乎100%靠进口 。
不管是DRAM内存颗粒 ， 还是SSD这样的产品中使用的NAND芯片 ， 全部是国外品牌 ， 没有国产的 。
也正因为如此 ， 所以后来中国成立了三大内存生产基地 ， 分别是长鑫存储、长江存储、晋华 。
后来晋华为被美光起诉 ， 被美国制裁等 ， 陷入停滞状态 ， 只有长鑫、长存在努力 ， 一个主攻DRAM内存 ， 一个主攻NAND闪存 。
【被美国打压后，长存进行国产替代，但技术倒退至160层？】但因为都是2017年左右才算真正开始 ， 所以相比于三星、美光、SK海力士这样的国际巨头 ， 落后了几十年 。
在这样的落后的情况之下 ， 中国厂商却努力突破 ， 研发各种技术 ， 以期追上世界顶尖水平 。
而在2022年的时候 ， 长存做到了 ， 率先在全球推出第一款232层堆叠的3D NAND闪存芯片 ， 领先于美光、三星、SK海力士 。
于是美国害怕了 ， 担心中国存储芯片崛起 ， 威胁到美国的地位 ， 于是将长存拉入黑名单 ， 进行制裁 ， 不允许先进设备卖给长存 。
在这样的情况之下 ， 长存怎么办？只能进行国产替代 ， 用国产设备来替代国外的设备 。
近日 ， 有媒体报道称 ， 虽然被美国打压 ， 但长江存储展现出了惊人的韧性和创新能力 ， 积极转向国内半导体设备供应商 ， 如中微公司、北方华创和拓荆科技 ， 已经成功实现了部分美系设备的替代 。
不仅保障了生产线的稳定运行 ， 还推动了国产半导体设备的技术进步 。 还开发出了晶栈Xtacking4.0技术 ， 并推出了搭载该技术NAND产品 。
据TechInsights对长存TiPlus7100 SSD的拆解 ， 发现了可能应用xtacking 4.0工艺的颗粒 。
TechInsights表示 ， 这款产品晶粒密度为12.66 Gb/mm2 ， 芯片密度为0.632 mm2/GB ， 而层数大约为160层 。
与之前232层相比 ， 从层数来看 ， 确实是倒退了76层 ， 从232层倒退至160层了 。 为何会倒退了呢？专业人士表示称 ， 这是因为逐渐加大设备国产化的力度 ， 以应对美国对设备的制裁 。
而国产设备确实在先进性方面 ， 逊色于美国以及日本的设备一筹 ， 所以长存特别降低了层数 ， 是为了和国产设备相适配 ， 同时提高良率 ， 从而采用了较低的复杂性和芯片尺寸 ， 来保证产品正常量产 。
所以 ， 表面上来看 ， 技术有一定倒退 ， 但实际上却是整个国产供应链的胜利 ， 因为这代表的是国产供应链的一大进步！
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