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8月初 ， AMD Ryzen 9000系列处理器终于正式上市 ， 由于多种原因 ， 其全部性能目前尚无法全部发挥出来 ， 因此 ， 现阶段大家的关注重点还是在性能方面 。 不过 ， 本文的主题并不是介绍Ryzen 9000系列处理器的性能 ， 也不是它的纸面参数 ， 而是其硬件层面的内部构造 。
——是的 ， 你没有看错 ， 近期海外极客Fritzchens Fritz拆解了Ryzen 5 9600X这款处理器 ， 并用专业设备拍下了放大后的内部高清图片 ， 非常具有参考价值 。
具体而言 ，Ryzen 5 9600X采用单个Zen 5 CCD（部分高端型号有两个CCD）和单个IOD ， 请参阅上图 。 可能有些朋友不理解什么是处理器的“CCD”和“IOD” ， 下面小编科普一下：
CCD是处理器内部的关键组成部分 ， 它的主要职责是负责执行各种计算任务 。 它包含了多个计算单元（如CCX） ， 这些计算单元可以协同工作 ， 以实现高效的数据处理 ， 大家可以把CCD理解成是处理器的计算单元 。
IOD是处理器中的输入/输出内核的简称 ， 主要负责处理与输入/输出相关的功能 。 包括内存控制器、IO控制器、IF总线等 。 这些组件协同工作 ， 用以实现处理器与外部设备之间的数据传输和通信 ， 大家可以把IOD理解成是处理器的输入/输出内核 ， 具体情况请参阅上图 。
在AMD所发布的某些处理器型号中 ， CCD和IOD部分可能是由不同代工厂所制造的 ， 或者由同一代工厂使用不同的工艺制程所制造 ， 最后再封装在一起的 ， IOD部分的制造工艺往往落后于CCD 。
下面小编举一个例子：比如Ryzen Threadripper 3990X这款处理器 ， 拥有64核128线程 ， 其CCD部分采用台积电7nm工艺制造 ， IO部分采用格罗方德12nm工艺制造 ， 请参阅上图 。
所以 ， 在对于某款处理器的严谨介绍中 ， 这两部分的制造工艺往往是分开介绍的 ， 而一般谈及某款处理器的制造工艺主要是指CCD部分的制造工艺 。
AMD Zen 5 CCD芯片（Eldora）的面积为70.6mm2 ， 拥有831.5亿个晶体管 ， 采用台积电N4P工艺制造 ， 而IDO芯片则与上一代保持不变 ， 继续使用台积电6nm工艺制造 。
另外 ， 相比之前的Zen 3 CCD和Zen 4 CCD ， Zen 5 CCD有一个明显的变化 ， 其TSV（硅通孔）的数量要少得多 。 要理解这些 ， 首先就必须理解“TSV”是什么 ， 以下是简要介绍：
TSV的英文全文为“Through Silicon Via” ， 中文意思是指硅通孔技术 。 这是一种先进的三维集成电路封装技术 ， 通过在芯片上制作垂直贯通的微小通孔 ， 在通孔中填充导电材料（如铜、钨等） ， 可以实现芯片内部不同层面之间以及芯片之间的垂直电气连接 。
它的优势在于可以通过垂直堆叠不同功能的芯片 ， 可以大幅度提高电子元器件的集成度 ， 还可以减小封装的几何尺寸和封装重量、降低功耗和提升性能 。
尽管拥有诸多优势 ， TSV技术目前尚不完全成熟、完善 ， 也存在着一些问题和短板 。 简单来说 ， 主要是技术难度大、成本高 ， 良品率低 ， 还需要继续进一步完善 。
Zen 5 CCD的TSV（硅通孔）数量减少 ， 说明台积电方面的制造工艺有一定的调整 ， 至于具体的调整原因 ， 现在没有可靠权威的说法 。
目前有一种主流的说法是TSVs在L3缓存中的位置可能会给Zen 5 CCD带来压力 ， 因此要想办法减少其所占用的空间 ， 为搭载大容量3D V-cache型号预留空间 。
虽然目前采用Zen 5架构的Ryzen 9000系列处理器已经发布上市 ， 但是Ryzen 9000系列处理器只是采用Zen 5 CCD的一部分产品线而已 ， 预计未来它也将应用于Strix、Strix Halo和Fire Range Krackan等在内的多个产品线 。
当然 ， AMD Zen 5架构的实际体验如何 ， 还有待市场和消费者进行验证 。
【AMD粉丝的福利！海外极客拆解Ryzen 5 9600X，高清CCD图曝光】补充说明：本文是有关Ryzen 5 9600X和Zen 5架构硬件层面的分析 ， 其中一部分来自于海外科技博主Fritzchens Fritz ， 另外一部分来自于小编个人的分析解读 ， 并非来自于AMD官方 ， 由于水平有限 ， 不保证内容绝对准确 ， 仅供参考 。
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