1、场效应管工作原理用一句话说 ， 就是“漏极-源极间流经沟道的ID ， 用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID” 。更正确地说 ， ID流经通路的宽度 ， 即沟道截面积 ， 它是由pn结反偏的变化 ， 产生耗尽层扩展变化控制的缘故 。
2、场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管 。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemi conductor FET ， 简称MOS-FET） 。由多数载流子参与导电 ， 也称为单极型晶体管 。它属于电压控制型半导体器件 。
3、在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动 ， 在理想状态下几乎具有绝缘特性 ， 通常电流也难流动 。但是此时漏极-源极间的电场 ， 实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近 ， 由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层 。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象 。
【场效应管的原理 场效应管的工作原理是什么】4、电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用 。当输入端为低电平时 ， P沟道MOS场效应管导通 ， 输出端与电源正极接通 。当输入端为高电平时 ， N沟道MOS场效应管导通 ， 输出端与电源地接通 。在该电路中 ， P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作 ， 其相位输入端和输出端相反 。
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