【第三代总线技术迈向2.5G SDH】
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传输网络事业部 易春来
随着相关技术及中国通信市场的飞速发展,骨干网层的主流SDH设备速率已经上升到了10G;而2.5G的SDH传输设备受到这些更高档的设备挤压,网络应用层次开始下移,逐渐进入边缘层,取代原本处于边缘层的622M设备 。另一方面,数据、互联网业务带宽需求的急剧增长,对边缘层承载的SDH设备也提出了越来越高的要求,为了适应这种变化,采用第三代SDH总线-LVDS技术势在必行 。
SDH总线历史回顾早期SDH设备背板总线速率为19.44Mbit/s,采用的是单端TTL总线技术,即常说的第一代总线技术 。这种总线技术用于低速率场合时具有成本低的优势,但一般不用于高速率SDH设备中 。这是因为:第一,单端TTL总线的电压摆幅过大,这会导致系统的功率过大 。在SDH设备中,随着速率的提高,设备功率也相应提高,若在高速率SDH设备中采用高速单端TTL总线技术,功率太大会使系统难于正常工作;第二,电压摆幅过大会带来明显的尖峰脉冲电流、过冲和大的交流噪声,这严重影响了信号质量,并且引起了EMI问题;其三,由于TTL的技术原理是利用三极管电极电荷的积累与消散过程,这使得总线信号速率必然受到电荷充放电时间的限制,难以应用于速率较高的场合;其四,单端总线技术很难有效消除总线上的噪声,限制了这种技术向更高速率发展;其五,TTL在高速设备背板上应用会大大增加设备的设计复杂性,譬如在2.5G设备上用38.88Mbit/s TTL总线,那么凡需要处理2.5Gbit/s信号的地方就要用到64根总线,这种复杂度是难以想象的 。
正是因为TTL总线技术的种种弊端,第二代总线技术诞生了 。以其代表GTL 总线为例,它的基本特点是大大减小了电压摆幅,因对信号上升沿和下降沿进行了控制,使得信号质量得到了较大改善,并同时减小了功率和EMI 。目前市场上SDH2.5G设备大多采用的就是这种技术 。然而随着SDH速率的进一步提高,当把GTL 总线用在更高速率的设备中时,也显示出与TTL总线相近的缺陷 。工程师做了相应改进,这就是第三代总线——LVDS总线技术 。
为什么是LVDS?
我们希望第3代的总线技术可以解决上面TTL总线技术的五大弊端 。那么,它应该具备以下特性:一,摆幅小,功率小;二,要适应高速率;三,要有减小总线噪声的机制 。LVDS完全可以满足上面3个要求(有关LVDS的标准,请参阅IEEE P1596.3和ANSI/EIA/EIA-644) 。LVDS的平均摆幅约为350mV,平均直流偏置电压约为1.25V,平均信号电流3.5mA(在电源电压为3.3V的情况下),确实是摆幅小,功率小;LVDS的技术原理决定了它可以应用于总线速率高达1Gbps的场合,且与物理媒质无关;LVDS采用两根贴得很近又接近对称的差分信号线,有效地消除了总线上的共模噪声,大大提高了进入接收机的信号质量 。由此可见LVDS技术完全可以运用于高速总线,这可以大大降低系统设备的复杂度,比如处理一个622Mbit/s信号只需一对622Mbit/sLVDS总线 。
OTS Super 2.5G 8501B/C产品
上海贝尔采用LVDS第三代总线技术推出了集成型多业务SDH光传输产品OTS Super 2.5G 8501B/C 。该系统采用622Mbit/s LVDS总线技术,处理一个622Mbit/s信号只需一对622Mbit/s LVDS总线,大大精简了设备结构,使产品能在小空间达到甚至超过“标准机架”系统的性能 。它体积小(盒式结构),功耗低,堪称“传输中的笔记本” 。尽管结构精简,但它功能强大,具备以下主要技术优点:
1.分布式MESH结构交叉体系:传统的集中式交叉体系,须按照满配置情况来配置交叉容量,即使对很简单的配置也是如此;而采用分布式交叉,可以对系统交叉容量实行按需配置 。当系统配置比较简单时,配置的交叉容量也相应较少,从而降低成本;而另一方面,理论上它最高可配置成128(128VC4级别的交叉和2016(2016VC12级别的交叉 。如此强大的功能既可以充分向上与10G DWDM的骨干网配合,也可以向下与各种接口的接入网相连通 。
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