tlc qlc mlc的区别
1、结构：mlc是双层 ， tlc是三层，qlc是四层 。
2、单个cell存储数据量：mlc为2bit ， tlc为3bit ， qlc为4bit 。
3、理论擦写次数：mlc是3000-10000，tlc是500-1000，qlc是150 。
闪存类型slc mlc tlc qlc区别除了主控芯片和缓存芯片以外 ， PCB板上其余的大部分位置都是NAND Flash闪存芯片了 。NAND Flash闪存芯片又分为SLC（单层单元）和MLC（多层单元）NAND闪存：
1.SLC全称是单层式储存 (Single Level Cell），因为结构简单，在写入数据时电压变化的区间小，所以寿命较长 ， 传统的SLC NAND闪存可以经受10万次的读写 。而且因为一组电压即可驱动，所以
英特尔固态硬盘(15张)
其速度表现更好，目前很多高端固态硬盘都是都采用该类型的Flash闪存芯片 。
2.MLC全称是多层式储存（Multi Leveled Cell），它采用较高的电压驱动，通过不同级别的电压在一个块中记录两组位信息，这样就可以将原本SLC的记录密度理论提升一倍 。作为目前在固态硬盘中应用最为广泛的MLC NAND闪存，其最大的特点就是以更高的存储密度换取更低的存储成本，从而可以获得进入更多终端领域的契机 。不过，MLC的缺点也很明显 ， 其写入寿命较短，读写方面的能力也比SLC低，官方给出的可擦写次数仅为1万次 。
3.TLC即Triple-cell-per-bit，由于采用三层存储单元，因此可以以较低的成本实现更大的容量 。具体来讲 ， SLC只有两个电平状态，MLC则为4个，TLC则多达8个，同容量下TLC的Die的尺寸比MLC小33%，因此价格也便宜了33% 。当然良品率等因素也会对价格产生影响 。
由于TLC拥有多达8个电平状态 ， 因此在电位控制上更加复杂，特别是写入速度会大受影响，延迟增加 。加之如此多的电平状态 ， 电子一旦溢出变会非常容易导致出错，难以控制，这就是为什么需要更强ECC纠错能力的原因 ， 否则TLC闪存的寿命将会不堪一击 。
mlc tlc slc qlc哪个好qlc好 。区别如下：
1、稳定性与寿命方面
QLC由于单位存储密度更大 ， 是TLC的两倍，所以其电压更难控制，从而影响到性能以及稳定性；而Intel 660P采用QLC闪存的写入总数据量大约为100TBW ， 只是同样容量西部数据SN500采用TLC闪存的三分之一左右，因而我们也能够对比出QLC寿命相较于TLC会低很多 。
2、性能方面
虽然采用QLC闪存颗粒的SSD在缓存容量内也能够达到与TLC相近的读写速度，但是一旦缓存耗尽后其持续写入速度将会大幅下跌，甚至速度会不敌传统的机械硬盘 。
3、成本方面
不过QLC闪存颗粒也不是没有优势，它的生产成本相较于TLC更低，虽然目前QLC的技术可能还不够成熟，但是也许在未来随着成本的下降，取代机械硬盘也不是没有可能 。当然 ， 这还需要时间去验证，作为消费的我们也不用着急，如果QLC技术发展更为成熟 ， 肯定会有很多闪存厂商争先恐后推出容量更大，价格更优的SSD 。
SSD使用的颗粒类型为MLC 。
MLC（Multi-LevelCell），即2bit/cell，速度一般寿命一般 ， 价格一般，约3000---10000次擦写寿命 。
TLC（Trinary-LevelCell），即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度相对慢寿命相对短，价格便宜，约500次擦写寿命 。
MCL寿命比TLC长一倍（理论），速度比TLC快一点点 ， 比较普及民用级硬盘，TLC价格相当便宜 ，可以通过高性能主控、主控算法来弥补、提高TLC闪存的性能 。
SSD闪存颗粒类型分类
SSD的闪存颗粒，按照它的存储单元的存储容量可以分为以下几类：SLC（单层单元）、MLC（多层单元）、TLC（三层单元）、QLC（四层单元）和PLC（五层单元） 。
对于SSD而言 ， 闪存颗粒类型可以说是最为关键性的指标，也是SSD选购的重要参考指标 。因为随着闪存颗粒存储单元的存储容量的提升 ， SSD将会在擦写寿命 ， 写入速度，功耗和价格上表现出极大的差异 。
1、擦写寿命
闪存颗粒类型影响最大的还是颗粒的擦写寿命，随着闪存单位存储容量的提升，闪存的擦写寿命将呈指数级下降 。
【tlc qlc mlc的区别】2、总体容量／SSD价格
随着闪存单位存储容量的提升，拥有相同存储单元数的SSD的总体容量也将呈对数级别的上升 。相应地，对于相同存储空间的SSD而言，单位存储容量越大也就意味着价格越低 。
3、写入速度
SSD的写入速度最大的关联因素其实是SSD的接口 ， 比如如果接口是SATA3，那无论SSD闪存颗粒类型是什么，都将会比PCI-E接口的SSD速度要慢 。
