佳能去年推出了第一台纳米压印光刻 （NIL） 机器 ， 该机器可用于生产芯片 ， 而无需使用传统的 DUV 或 EUV 系统 ， 这引起了不小的轰动 。 然而 ， 由于芯片制造商不熟悉它 ， 因此对该工具和一般的 NIL 方法都存在很多怀疑 。 据日经新闻报道 ， 本周 ， 这家日本公司将其 FPA -1200NZ2C 纳米压印光刻系统交付给德克萨斯电子研究所 （TIE） 进行研究 。
【佳能纳米压印光刻机迎来重大突破！】虽然看起来可能不是什么大新闻 ， 但它可能是佳能和纳米压印光刻的重大突破 。 德克萨斯电子研究所（Texas Institute for Electronics）从德克萨斯大学纳米制造系统中心（Nanomanufacturing Systems Center）发展而来 ， “以响应行业对高级异构集成日益增长的兴趣” 。 TIE 得到了主要半导体公司联盟的支持 ， 包括 Intel、NXP 和 Samsung 。 它还得到了 DARPA 的支持 ， DARPA 最近向 TIE 和 UT 提供了14 亿美元的赠款 ， 用于构建用于军事和民用应用的多小芯片 3D 处理器 。
在 TIE 上 ， 佳能的 FPA -1200NZ2C 纳米压印光刻系统将用于该联盟中的芯片制造商的研发——这是一件大事 ， 因为目前英特尔、恩智浦和三星使用 DUV 和 EUV（恩智浦除外）光刻技术来制造芯片 。 通过研究纳米压印光刻技术的能力 ， 这些公司可能会也可能不会在其晶圆厂采用 NIL 技术 。 据日经新闻报道 ， 佳能似乎对这些试验寄予了很大的希望——因为它的目标是在未来三到五年内年销量达到 10 到 20 台 。
传统的 DUV 和 EUV 光刻系统使用光将光掩模的电路图形投射到覆盖有光刻胶的晶圆上 。 相比之下 ， 纳米压印光刻技术直接将模具（已经用电路设计图案化）压印到光刻胶上 。 这避免了对光学系统的需求 ， 只需一步即可更准确地复制复杂的设计 ， 从而降低生产成本 。 然而 ， 虽然光刻技术一次处理整个晶圆 ， 但 NIL 是串行工作的 ， 并且可能会更慢 。 据佳能称 ， NIL 目前能够生产采用 5nm 技术的芯片 ， 最终可能会达到 2nm 节点 。
然而 ， 在这项技术得到广泛采用之前 ， NIL 面临着许多挑战 。 人们仍然担心在生产过程中最大限度地减少灰尘颗粒的缺陷 。 此外 ， 佳能还需要与其他公司合作 ， 创造与这种新光刻方法兼容的材料 ， 这对于广泛的工业应用至关重要 。 最后 ， NIL 与涉及 DUV 或 EUV 的流程不兼容 ， 因此无法（或至少非常具有挑战性）集成到现有的制造流程中 ， 因此芯片制造商将不得不围绕 NIL 设计他们的生产技术（这既昂贵又有风险） 。
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