7纳米光刻机中国能造吗,7nm光刻机 _云知道

28nm光刻机与7nm差距在哪？

这个概念就被混淆了!无论是28纳米也好，7纳米也罢，指的都是光刻机的制程工艺。而光刻机背身只分为紫外光刻机(UV)，深紫外光刻机(DUV)，极紫外光刻机(EUV) 。其中28纳米的制程工艺用DUV也行，用EUV也可以。7纳米制程工艺使用DUV也是可以的，只不过太麻烦了，用EUV比较简单省事。而DUV光刻机和EUV光刻机的差距主要在:“光源，物镜”，这三者基本上决定了一台光刻机制程工艺的高低。
如果说到具体的工艺上，那就是28纳米制程工艺制造的芯片与7纳米制程工艺制造的芯片性能差太多了，基本上28纳米制程工艺是9年前的了，如果让用回9年前的手机，你还愿意么？机台部件差距先来看光源。DUV光刻机采用的Arf光源，其波长普遍在193纳米。而光刻机的分辨率除了正比于波长之外，还主要受限于瑞利衍射极限。
Arf光源的极限基本就是7纳米了，在提升分辨率的话，那代价就太大了，根本划不来。而EUV光刻机采用的是EUV光源，其波长为13.5纳米，这么短的波长，就很容易实现分辨率的提升，所以使用EUV光刻机的话制程工艺达到7纳米，5纳米，3纳米是很容易做到的。另外，同时开始制作7纳米的芯片，EUV光刻机的效率要比DUV高的多。
再来看物镜组。ASML制造的EUV光刻机使用的是蔡司公司提供的物镜，其数值孔径(NA)值为0.33越大。看公式“光刻机分辨率=k1*λ/NA” 。也就是说NA值越大表示分辨率越高，光源波长越短，分辨率也就越高。由于受限于技术，导致镜头的NA值不能无限增大，所以只能选择缩小光源的波长了。国内NA值为其0.75的光学系统已经通过验收了，正在向NA值为1.35的进发。
可以说，国产DUV光刻机的光学系统的NA值已经比ASML的高了。由此可知，EUV光刻机和DUV光刻机之间的差距有多大。当然了，EUV光刻机需要的光源和物镜都是需要极高技术支持的，不掌握先进的技术，那是制造不出EUV光刻机的。此外，芯片的制程工艺，不仅仅是由光刻机决定的。更多的在于一个厂商的研发工艺，比如说，台积电使用DUV光刻机就可以将芯片的制程推向7纳米，而三星就不行了，三星想要制造出7纳米制程工艺的芯片，就必须要有EUV光刻机。
中兴宣布量产7nm芯片，这意味着什么？

完全没有任何值得高兴的事！因为中兴还是深度依赖台积电等企业代工，自己并不会制造芯片，和华为一样。中兴7nm芯片主要是为5G基站服务，对于手机端没有半点贡献中兴宣布量产的7nm芯片，还是基于台积电等代工厂生产的一样，这里的7nm仅仅指的是有设计7nm芯片的技术，本质上和华为是没有任何区别的，都不具备代工生产芯片的能力！据了解，在今天上午九点整，中兴通讯公司在深圳南山区高新技术产业园总部召开了去年2019年度的股东大会。
中兴相关领导徐子阳回应了目前外界较为关注的5nm芯片发展进程的问题，他说道：“目前中兴公司7nm芯片已实现规模量产,同时5nm芯片将在明年2021年推出。在芯片方面，中兴做好了前端和后端的设计，但在芯片生产和制造方面，还是要依赖全球合作伙伴分工生产。需要注意的是，这里中兴所提到的7nm的芯片并不是类似华为麒麟的5G Soc，而是面对5G基础设施和基站的一些核心设备所需要的芯片，本质上是和华为形成了有效的竞争力，中兴在芯片代工制造方面依旧需要台积电等企业的代工且深度依赖。