继美光之后，SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发，容量512GB/64GB，TLC 。SK海力士透露，闪存单元架构为CTF（电荷捕获），同时集成了PUC技术 。公司将样品提供给controller公司去制作解决方案产品
海力士一直在推广96层NAND Flash产品中的4D技术，该产品将电荷阱闪存(CTF)与高集成度Peri相结合，并采用单元(PUC)技术 。新的176层NAND闪存是第三代4D产品，从制造上来说，其能够确保业内最佳的每片晶圆产出 。与上一代相比，除了容量增加35%，它采用2分裂单元阵列选择技术后，单元的读取速度比上一代提高了20%，在不增加进程数量的情况下，采用加速技术的数据传输速度也提高了33%，达到1.6Gbps 。
对于移动解决方案产品，最大读取速提高了70%，最大写入速提高了35%，SK海力士计划在明年年中发布消费者和企业SSD，从而扩大产品的应用市场 。
从技术层面来讲，NAND闪存层数的增加，会导致电池电流减少，沟道孔扭曲，以及由于双叠层未对准而引起的单元分布恶化 。SK海力士通过采用创新技术，如单元层间高度降低、层变量定时控制和超精密对准，克服了这些挑战，并开发了行业顶级176层NAND闪存 。
SK海力士还计划通过在176层4D NAND的基础上开发双倍密度的1Tb产品，以不断增强其在NAND闪存业务上的竞争力 。
根据市场情报提供商Omdia的数据，NAND闪存市场预计将从2020年的4318亿GB扩大到2024年的1.366万亿GB，复合年增长率为33.4% 。
4D NAND
2018年SK海力士推出96层512Gb的基于CTF(Charge Trap Flash, 电荷捕获型闪存)的4D NAND闪存 。这款产品基于TLC（Triple-Level Cell，三层单元）阵列，采用3D CTF设计和PUC（Peri. Under Cell）技术 。这是SK海力士在业内首次将3D CTF与PUC相结合，这与结合3D浮栅与PUC的方式不同 。其结果，前者获得了业界最好的性能和生产效率 。公司将该产品命名为“基于CTF的4D NAND闪存”，以区别于当前的3D NAND闪存技术 。
电荷阱闪光灯(CTF)
与浮栅将电荷存储在导体中不同，CTF将电荷存储在绝缘体中，消除了电池之间的干扰，提高了读写性能，同时与浮栅技术相比，减少了单位电池面积 。在CTF架构中，没有浮栅，数据被临时存放在闪存内由氮化硅成的非传导层，也就是所谓的保持室（Holding Chamber）中，从而可以获得更高等级的可靠性与更好的存储电路的控性 。大多数3D NAND公司正在采用CTF 。
PUC技术
这是一种通过在电池阵列下放置外围电路而使生产效率最大化的技术 。那SK海力士的4D NAND与竞争“对手”3D NAND的区别是什么呢？SK海力士称其结合了自身CTF设计与Periphery Under Cell（PUC）技术 。简单来说，3D闪存由阵列和外围电路两个主要组件组成 。与传统3D NAND相同，SK海力士的阵列是垂直堆叠的层用于存储数据，而外围电路排列在单元边缘 。由电路控制阵列，但随着NAND层的增加，它就会消耗芯片空间，增加复杂性与尺寸大小，由此增加产品的最终成本 。
为了解决这一问题，SK海力士的4D NAND采用了PUC设计，将外围电路放置在阵列之下而不是围绕，来提高存储密度，同时降低成本 。然而，这与英特尔和美光首次推出第一代3D闪存设计相同，那边称之为“CMOS under Array”（CuA） 。并且，三星也已经宣布其将来会转向CuA型设计，因此这绝不能算是新技术了 。
2分单元阵列选择技术（2-division cell array selection technology）
字线在NAND闪存电路中向电池施加电压 。层数越多，字线越薄，就会降低细胞的高度，对字线的电阻越大，就会影响速度 。通过将连接字线的电池与现有的电池相比分成两部分，可以降低电阻，从而缩短施加电压的时间，提高读取速度 。
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