但既然我国已经实现了28纳米光刻机技术的突破，未来28纳米光刻机量产迟早会到来 。
一旦我国掌握了成熟的28纳米光刻机之后，再配合芯片制造工艺的改进，再经过多次曝光之后是可以用于生产14纳米光刻机的，甚至有可能用于生产7nm纳米芯片 。
要知道台积电第1代7纳米芯片其实也是用DUV光刻机实现的，当时他们采用的是ASML的ARFi型号DUV光刻机，这个光刻机的最大分辨率是38纳米 。
而据说上海微电子研发出来的新一代光刻机最大分辨率也是达到38纳米，如此一来，确实有很大的希望可以用于生产14纳米芯片和7纳米芯片 。
当然除了依赖光刻机的技术进步之外，目前市场上还有一种提升芯片性能的路线，那就是芯片堆叠，也就是把两个芯片叠在一起，从而达到提升芯片性能的目的，这种路线已经被证实是可行的 。
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