蚀刻机和光刻机区别光刻机的制作考虑到那些外在因素蚀刻机和光刻机区别 _光刻机

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刻蚀机和光刻机的区别如下：
【蚀刻机和光刻机区别光刻机的制作考虑到那些外在因素蚀刻机和光刻机区别】

1、工艺不同：刻蚀机是将硅片。上多余的部分腐蚀掉，光刻机是将图形刻到硅片上。
2、难度不同：光刻机的难度和精度大于刻蚀机。

等离子刻蚀机，又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等。等离子刻蚀，是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由。此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。某种程度来讲，等离子清洗实质上是等离子体刻蚀的一种较轻微的情况。进行干式蚀刻工艺的设备包括反应室、电源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反应室。气体被导入并与等离子体进行交换。等离子体在工件表面发生反应，反应的挥发性副产物被真空泵抽走。等离子体刻蚀工艺实际上便是一种反应性等离子工艺。