在美日荷围堵下,中国芯片产业,也撕开了3道口子

在美日荷围堵下,中国芯片产业,也撕开了3道口子

文章图片

在美日荷围堵下,中国芯片产业,也撕开了3道口子

文章图片

在美日荷围堵下,中国芯片产业,也撕开了3道口子

众所周知 , 这几年随着中国芯片产业的发展 , 威胁到了美国芯片霸主的地位之后 , 美国就开始针对中国芯片产业了 , 后来日本、荷兰也跟着大哥美国的步伐走 。
按照美国的禁令 , 其目标是将中国逻辑芯片卡死在14nm工艺 , NAND 闪存卡死在128层上 , 而DRAM内存 , 则锁死在18nm 。
而围绕这个目标 , 美国、日本、荷兰出台了一系列禁令 , 严禁先进半导体设备卖到中国来 。

比如在光刻机上 , 波长≤193nm、分辨率≤45nm的DUV设备 , DCO套刻精度≤2.4时 , 就不能出口了 , 需要美国的许可证 。
在这样的情况之下 , 我们怎么办?当然不能认命 , 只能不断的努力 , 一方面是利用现有设备 , 突破技术封锁 , 实现先进工艺 , 二是国产设备顶上 , 替代掉国外设备 , 突破封锁 。

而从现在的情况来看 , 虽然我们还处在美日荷的围堵之下 , 但中国芯片产业 , 也撕开了三道口子了 , 基本上也意味着美国的封锁失败了 。
第一道口子是逻辑芯片方面 , 美国的目标是锁死在14nm , 不再能往下前进的 。
但事实上呢?不用我多说 , 大家也都清楚 , 我们早突破了14nm , 不说具体的技术、工艺了 , 就拿两颗芯片出来 , 大家就会明白了 , 麒麟9000S、麒麟9010是怎么来的?是什么工艺?大家都懂了吧 。

第二道口子则是NAND闪存 , 美国的目标是锁死在128层的 。
但事实上 , 在2022年下半年 , 长江存储已经成为全球第一家量产232层3D NAND闪存的厂商 , 比美光、三星等还领先 。
后来美国限制科磊、应用材料等的先进设备卖给长存 , 但目前长存232层堆叠的NAND依然在出货 , 很明显 , 也早就突破了128层这个目标 。
有消息称 , 目前长存正在大规模的替代掉国外设备 , 用国产设备来顶上 , 这个意义就更加的重要了 。

第三道口子 , 则是DRAM方面了 。 前几天日本分析机构 , 发布了一数据 , 那就是目前长鑫已经排名全球第四了 。
从产能来看 , 2022年时才7万片晶圆每月 , 但2023年时达到12万片 , 今年年底将增至20万片 , 明年将增至30万片 , 接近50%的增长率 。
到2025年末时 , 中国在DRAM上的份额有望达到16.1%左右 , 而美国美光则会降至17.1% , 和中国的份额相差无几 。
可见 , 美国的封锁 , 对中国芯片产业的影响也许有 , 但一定程度上 , 也刺激了中国芯片产业 , 让中国芯片产业更是加速前进了 。

【在美日荷围堵下,中国芯片产业,也撕开了3道口子】而绝大多数的专业人士都认为 , 一旦中国芯片产业的国产供应链拉通之时 , 国内晶圆制造的成本估计要比现在降低一半 , 到时候中国芯片产业的发展 , 完全会复制面板产业发展路径 , 将打遍全球没有对手 , 未来中国将成为全球芯片霸主 , 进而取代美国 。

    推荐阅读