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全球第一家成功量产232层3D NAND闪存芯片的企业 ， 并不是三星、SK海力士等知名国际巨头 ， 其实是中国的长江存储 ， 于2022年就制造出了全球首款232层的3D NAND闪存芯片 。
而当时像美光、三星、SK海力士都没有正式量产 ， 只是官宣了相关产品但没制造出来 ， 所以长存的232层3D NAND闪存面世 ， 对行业造成了巨大的影响
和一般的逻辑芯片不一样 ， NAND闪存芯片 ， 不能一味的追求XX纳米的微缩 ， 因为当工艺到达15nm后 ， 再缩小 ， 存储芯片就极不稳定 ， 而数据存储芯片 ， 最重要的是稳定 。
所以存储芯片追求的是3D 堆叠 ， 通过多层堆叠 ， 提高存储密度 ， 提升读写速度 ， 这也是为何存储芯片 ， 说的是多少层的原因 ， 层数越高 ， 技术越先进 ， 存储额度越高 。
所以长江存储232层3D NAND面市后 ， 据称苹果都有意采用长存的NAND闪存 ， 而一旦长江存储抓住这个机 ， 利用时间窗口 ， 向市场大量出货232层产品 ， 那么三星、SK海力士、美光等都会非常被动 。
于是美国出手了 ， 一是施压苹果 ， 不准使用长存的存储芯片 ， 二是将长存拉入黑名单 ， 不准先进的制造设备 ， 卖给长存 。
后来美国更是立了一个目标 ， 要锁死中国3D NAND闪存芯片技术在128层 ， 不准进入更高层 。
不过 ， 现在看来 ， 这个目标很明显是失败了 ， 不说之前的232层3D NAND闪存了 ， 而近日 ， 长江存储已经再次推出了160层的3D NAND闪存 ， 突破了128层 。
可能很多人会说 ， 160层较原来的232层 ， 不是后退了76层么 ， 怎么还说突破了？
事实上 ， 之前的232层是基于国外的先进设备制造的 ， 比如科磊、泛林、应用材料等 ， 后来这些厂商不再提供先进设备了 。
于是长江存储转向国产设备 ， 与北方华创、中微、拓荆科技等合作 ， 用国产设备取代了大部分的美系设备 。
而160层的3D NAND闪存芯片 ， 几乎是采用全套国产设备生产出来的芯片 ， 而采用国产设备也能突破128层的制裁 ， 这就是巨大的突破和进步了吧 。
而按照TechInsights 的分析 ， 这款160层技术的3D NAND ， 还发现了可能应用xtacking 4.0工艺的颗粒 ， 其晶粒密度为12.66 Gb/mm2 ， 芯片密度为0.632 mm2/GB 。
这个技术性能 ， 完全不输给其它国产大厂的水准 ， 机构推测 ， 长江存储甚至已经将 Xtacking4.0 技术与 2xxL 和 2yyL 等更高层技术相结合起来了 。
【美国打压失败，国产设备制造NAND存储芯片，也进入160层了】可见 ， 中国人造芯一样很厉害的 ， 只要肯努力 ， 美国的打压 ， 可能会成为中国芯崛起的催化剂 ， 助力中国芯更快更好的崛起 ， 你深入是呢？
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