iPhone15大翻车?网友:A17是“假”3nm芯片,实际为21nm

自从iPhone15系列全面销售之后,有关于iPhone15的缺点也是越来越多 。
之前更多的是品控问题,比如进灰、掉漆、缝隙大等,但近日,越来越多的人表示,这次的iPhone15 Pro系列两款高端机型,在充电、玩游戏时,会过热,很多人戏称iPhone 15 Pro为“火龙果” 。

iPhone15大翻车?网友:A17是“假”3nm芯片,实际为21nm


大家可以在网上搜一搜,类似的测试视频非常多,很多网友玩游戏时,iPhone 15 Pro的机身温度飙升到50摄氏度,还出现了肉眼可见的掉帧 。
还有博主测试拍视频时 , 温度更是超过50度了,真的是烫手了 。
而据国外科技媒体9to5Mac的调查发现 , 甚至有超过五成的用户,认为自己新买的iPhone 15 Pro系列发热量过大 。
iPhone15大翻车?网友:A17是“假”3nm芯片,实际为21nm


而iPhone 15 Pro系列两款机型,使用的是3nm的A17 Pro芯片,很多人认为,这可能与芯片有关,可能是这次的A17 Pro芯片翻车了 。
事实上 , 在A17 Pro芯片发布时,就有人吐槽这次的A17表现太差,采用3nm工艺 , CPU单核只提升了10%,多核只提升了3%,而GPU多了一个核(多了20%) , 也只提升了20% 。
很多人认为,这个3nm实在太差劲了,就这表现 , 估计都没有人愿意使用3nm工艺 。
iPhone15大翻车?网友:A17是“假”3nm芯片,实际为21nm


当然,更有人表示,台积电的3nm , 根本就不是3nm , 实际是22nm 。其实自28nm之后,所谓的芯片工艺 , 就已经是等效法,即等效于多少纳米,而不是实际多少纳米 。
以前芯片是多少纳米,比如90nm,45nm,实际是指晶体管的栅极长度 , 专业词叫Gate Length 。这个工艺每一代缩小30%,也就是变成原来的70% 。
后来到28nm之后,栅极长度,无法再每一代缩小30%了,于是芯片厂商们,也就不再用栅极长度来命名了工艺了 。
iPhone15大翻车?网友:A17是“假”3nm芯片,实际为21nm


大家等效法来命名,怎么来理解?当你在28nm芯片的基础上 , 性能提升30%,或功耗降低30%,或晶体管密度提升30%,哪怕栅极长度不变,也可以认为是新一代工艺 , 是28*0.7纳米,也就是20nm 。
在这个基础上再提升30%,则是14nm , 再是10nm,再是7nm、5nm、3nm等,这些都是等效法 。
【iPhone15大翻车?网友:A17是“假”3nm芯片,实际为21nm】台积电的资料显示 , 台积电的3nm,其MP(金属距离)=21nm,GP(栅极距离)=48nm 。如果按照之前的命名法,应该是21nm左右 。
iPhone15大翻车?网友:A17是“假”3nm芯片,实际为21nm


当然 , 你对这个说法,认可不认可,那就是见仁见智了,但是大家要明白一个事实,那就是28nm之后,一颗芯片究竟是多少工艺的,并没有一个真正的标准了,大家都靠吹牛 , 自己说是多少就是多少 。
同时台积电的3nm、三星的3nm、intel的3nm工艺也是完全不同的,大家晶体管密度天差地别,所以就算营销水平高不高,能不能让人信服了 。

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