iPhone15大翻车？网友：A17是“假”3nm芯片，实际为21nm _云知道

自从iPhone15系列全面销售之后，有关于iPhone15的缺点也是越来越多。
之前更多的是品控问题，比如进灰、掉漆、缝隙大等，但近日，越来越多的人表示，这次的iPhone15 Pro系列两款高端机型，在充电、玩游戏时，会过热，很多人戏称iPhone 15 Pro为“火龙果” 。

大家可以在网上搜一搜，类似的测试视频非常多，很多网友玩游戏时，iPhone 15 Pro的机身温度飙升到50摄氏度，还出现了肉眼可见的掉帧。
还有博主测试拍视频时，温度更是超过50度了，真的是烫手了。
而据国外科技媒体9to5Mac的调查发现，甚至有超过五成的用户，认为自己新买的iPhone 15 Pro系列发热量过大。

而iPhone 15 Pro系列两款机型，使用的是3nm的A17 Pro芯片，很多人认为，这可能与芯片有关，可能是这次的A17 Pro芯片翻车了。
事实上，在A17 Pro芯片发布时，就有人吐槽这次的A17表现太差，采用3nm工艺， CPU单核只提升了10%，多核只提升了3%，而GPU多了一个核（多了20%），也只提升了20% 。
很多人认为，这个3nm实在太差劲了，就这表现，估计都没有人愿意使用3nm工艺。

当然，更有人表示，台积电的3nm ，根本就不是3nm ，实际是22nm 。其实自28nm之后，所谓的芯片工艺，就已经是等效法，即等效于多少纳米，而不是实际多少纳米。
以前芯片是多少纳米，比如90nm，45nm，实际是指晶体管的栅极长度，专业词叫Gate Length 。这个工艺每一代缩小30%，也就是变成原来的70% 。
后来到28nm之后，栅极长度，无法再每一代缩小30%了，于是芯片厂商们，也就不再用栅极长度来命名了工艺了。

大家等效法来命名，怎么来理解？当你在28nm芯片的基础上，性能提升30%，或功耗降低30%，或晶体管密度提升30%，哪怕栅极长度不变，也可以认为是新一代工艺，是28*0.7纳米，也就是20nm 。
在这个基础上再提升30%，则是14nm ，再是10nm，再是7nm、5nm、3nm等，这些都是等效法。
【iPhone15大翻车？网友：A17是“假”3nm芯片，实际为21nm】台积电的资料显示，台积电的3nm，其MP（金属距离）=21nm，GP（栅极距离）=48nm 。如果按照之前的命名法，应该是21nm左右。

当然，你对这个说法，认可不认可，那就是见仁见智了，但是大家要明白一个事实，那就是28nm之后，一颗芯片究竟是多少工艺的，并没有一个真正的标准了，大家都靠吹牛，自己说是多少就是多少。
同时台积电的3nm、三星的3nm、intel的3nm工艺也是完全不同的，大家晶体管密度天差地别，所以就算营销水平高不高，能不能让人信服了。